[发明专利]光电子器件及其封装结构

说明书

本申请提出一种光电子器件及其封装结构，封装结构包括：高频电极；低频电极；高频传输线，与高频电极直接相连；和低频传输线，与低频电极直接相连或间接相连。高频传输线与高频电极直接相连，如直接进行焊接连接或直接进行对接压连等的方式，以大幅度减少采用间接连接所使用的连接线的使用数量，避免因大量使用连接线而引入的寄生效应，防止导致光电子器件性能恶化而造成无法忽视的影响。

技术领域

本发明涉及通信技术领域，具体涉及一种光电子器件的封装结构和一种光电子器件。

背景技术

随着现代通信容量的急剧增加，光电子器件在提高信息传输和处理的速率方面起着关键的作用。然而，光电子器件的最终性能取决于芯片是否采取了合理的高频封装。例如：光电子器件上具有高频电极、低频电极、高频传输线和低频传输线，高频传输线和高频电极之间需要进行良好的电连接，低频信号线和低频电极之间也需要进行良好的电连接，电连接多采用金丝连接的方式来实现。然而，金丝的使用量比较大，会引入寄生效应，进而恶化光电子器件的性能，造成的影响无法忽视。

发明内容

本发明实施例提供了一种光电子器件的封装结构，大幅度减少了金丝的使用数量，以此来避免引入寄生效应，防止导致光电子器件性能恶化而造成无法忽视的影响。

本发明实施例提供了一种光电子器件的封装结构，包括：高频电极；低频电极；高频传输线，与所述高频电极直接相连；和低频传输线，与所述低频电极直接相连或间接相连。

可选地，所述封装结构还包括：信号传输单元，其上具有第一高频电极和第一低频电极；和电路板，其上具有所述高频传输线和所述低频传输线，所述高频传输线的一端与所述第一高频电极直接相连，所述低频传输线的一端与所述第一低频电极直接相连或间接相连；其中，所述高频电极包括所述第一高频电极，所述低频电极包括所述第一低频电极。

可选地，高频传输线位于电路板的下表面上，低频传输线位于电路板的上表面上；或；高频传输线位于电路板的上表面上，低频传输线位于电路板的下表面上；或；高频传输线和低频传输线均位于电路板的下表面上；或；高频传输线和低频传输线均位于电路板的上表面上。

可选地，所述封装结构还包括：连接线，所述低频传输线的一端与所述第一低频电极通过所述连接线间接相连。

可选地，所述连接线为金丝，所述第一高频电极和所述高频传输线均为共面波导传输线。

可选地，所述第一高频电极包括位于所述信号传输单元两端且相互对应电连接的两组，所述第一低频电极包括位于所述信号传输单元两端且相互对应电连接的两组，所述低频传输线的一端和所述高频传输线的一端均对应与所述信号传输单元的同一端的所述第一高频电极和所述第一低频电极电连接。

可选地，所述封装结构还包括：光电探测单元，固定在所述电路板上、并与所述低频传输线的另一端和所述高频传输线的另一端采用焊剂直接进行焊接连接。

可选地，所述低频传输线位于所述电路板的上表面上，所述高频传输线位于所述电路板的下表面上，所述光电探测单元固定在所述电路板的下表面上；且所述电路板上设置有过孔，所述过孔对应处于所述低频传输线的另一端，所述高频传输线的另一端与所述光电探测单元采用焊球或焊柱直接进行倒装焊接，所述低频传输线的另一端通过所述过孔与所述光电探测单元采用焊球或焊柱直接进行倒装焊接，所述焊剂为焊球或焊柱。

可选地，所述光电探测单元包括互阻放大器，所述互阻放大器具有第二高频电极和第二低频电极，所述第二高频电极与所述高频传输线的另一端采用焊球或焊柱直接进行倒装焊接，所述第二低频电极与所述低频传输线的另一端通过所述过孔采用焊球或焊柱直接进行倒装焊接；其中，所述高频电极还包括所述第二高频电极，所述低频电极还包括所述第二低频电极。