[发明专利]改善聚合物残留的方法及半导体结构

权利要求书

1.一种改善聚合物残留的方法，其特征在于，包括步骤：

提供一衬底；

在所述衬底上形成磁性复合层；

在所述磁性复合层上形成导电层；

在所述导电层上形成阻挡层；

刻蚀所述阻挡层形成开口，所述开口暴露出所述导电层；以及

在所述开口中形成金属层，所述金属层通过所述导电层与所述磁性复合层欧姆接触。

2.如权利要求1所述的改善聚合物残留方法，其特征在于，在所述衬底上形成磁性复合层之前，先形成一层隔离层。

3.如权利要求1或2所述的改善聚合物残留方法，其特征在于，所述在所述衬底上形成磁性复合层的步骤包括：

先后淀积磁性材料和过渡材料，得到磁性复合层；

对所述磁性复合层进行退火处理；

对所述磁性复合层进行图形化处理。

4.如权利要求3所述的改善聚合物残留方法，其特征在于，所述磁性材料为铁镍合金，所述过渡材料为氮化钽。

5.如权利要求3所述的改善聚合物残留方法，其特征在于，所述磁性复合层由物理溅射方式制备而成。

6.如权利要求3所述的改善聚合物残留方法，其特征在于，采用内部设有磁场的高温炉管进行所述磁性复合层的退火处理。

7.如权利要求3所述的改善聚合物残留方法，其特征在于，所述在所述磁性复合层上形成导电层的步骤包括：

淀积导电材料，得到导电层；

对所述导电层进行图形化处理。

8.如权利要求7所述的改善聚合物残留方法，其特征在于，所述导电材料为氮化钛。

9.如权利要求1或8所述的改善聚合物残留方法，其特征在于，所述导电层由磁控溅射制备而成。

10.如权利要求3所述的改善聚合物残留方法，其特征在于，所述在所述开口中形成金属层的步骤包括：

在所述形成有开口的阻挡层上形成金属层，所述金属层与所述开口暴露出的导电层接触；

对所述金属层进行图形化处理。

11.一种半导体结构，其特征在于，包括：

一衬底；

位于所述衬底上的磁性复合层；

位于所述磁性复合层上的导电层；

位于所述导电层上的阻挡层；

位于所述阻挡层中的开口，所述开口暴露出所述导电层；以及

位于所述开口中的金属层，所述金属层通过所述导电层与所述磁性复合层欧姆接触。

12.如权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括一位于所述衬底与所述磁性复合层之间的隔离层。

13.如权利要求11或12所述的半导体结构，其特征在于，所述磁性复合层包括铁镍合金层和位于所述铁镍合金层上的氮化钽层。

14.如权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，所述导电层为氮化钛层。