[发明专利]改善聚合物残留的方法及半导体结构

说明书

本发明公开了一种改善聚合物残留的方法，包括步骤：提供一衬底；在所述衬底上形成磁性复合层；在所述磁性复合层上形成导电层；在所述导电层上形成阻挡层；刻蚀所述阻挡层形成开口，所述开口暴露出所述导电层；在所述开口中形成金属层，所述金属层通过所述导电层与所述磁性复合层欧姆接触。本发明采用导电层作为阻挡层与磁性复合层的缓冲隔离层，阻挡层被刻蚀完之后，再刻蚀导电层，可以保护磁性复合层；用含钛材料做导电层，干法刻蚀后，钛的反应物是易挥发的物质，残留物易清洗，刻蚀所得表面比较干净，提高了产品的性能与良率；此外，易挥发的反应物对干法刻蚀腔体的环境污染较小，刻蚀腔体维护周期长，提高了生产效率并降低了生产成本。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其是涉及一种改善聚合物残留的方法及对应的半导体结构。

背景技术

随着超大规模集成电路和系统集成化以及元器件片式化、印制电路板(PCB)表面器件安装高密度化的进展，市场对高功率微型化的元器件提出了迫切需求，要求在更小的基片上集成更多的元器件。研制小型化、薄膜化的元器件，以减小系统的整体体积和重量，无疑是适应这一要求的一条实际可行的途径。因此，对在电子设备中占据较大体积和重量的磁性器件，如电感器、变压器的小型化、高频化也相应提出了很高的要求。

在这种背景下，国际上对于采用磁性薄膜做成的微磁器件的研究以及与半导体器件成为一体的磁性集成电路(IC)的研究十分活跃。这些器件主要用于便携式信息通信设备，如移动电话等。在这些设备中，为保证其工作稳定性及经济性，电源部分的小型化和高效率化是很重要的。所以薄膜化的磁性器件最早是从各种电感器、滤波器、DC/DC变换器中的变压器等开始的。

以往用于磁性器件的NiFe合金、铁氧体等，不论是饱和磁通密度，还是磁导率的频率特性，远不能满足日益发展的新型电子设备的要求。例如为了防止滤波器、变压器的磁饱和，以及在信息存储中为使高密度记录用的高矫顽力介质充分磁化，要求材料的饱和磁通密度在1.5T以上。另外，很多通信机用环形天线、电感器等，要求能在数百MHz到数GHz的频率范围工作。这些要求都是目前常用的磁性材料无法满足的。磁性材料的薄膜化为满足上述要求提供了可能。因此，磁性材料的薄膜化是微磁器件的基础，也是将来实现磁性IC的前提之一。

微磁器件，多将磁性薄膜集成到CMOS、BiCMOS、TFT和其他集成电路晶圆上。而现有微磁器件的磁性材料(复合薄膜)在干法刻蚀过程中会产生不易挥发的副产物，干法刻蚀后的光阻清洗很难把晶圆表面沉积的聚合物清洗干净，影响产品的性能与良率；同时此副产物会造成刻蚀腔体射频时间减少，增加了刻蚀腔体的维护次数。

因此，如何避免微磁器件的磁性材料在刻蚀过程中生成不易清洗的聚合物是目前亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种方法或结构，以避免微磁器件中的磁性复合材料在刻蚀特别是干法刻蚀时产生的不易挥发聚合物的残留现象，提高产品的性能与良率。

为了达到上述目的，本发明提供了一种改善聚合物残留的方法，包括步骤：

提供一衬底；

在所述衬底上形成磁性复合层；

在所述磁性复合层上形成导电层；

在所述导电层上形成阻挡层；

刻蚀所述阻挡层形成开口，所述开口暴露出所述导电层；以及

在所述开口中形成金属层，所述金属层通过所述导电层与所述磁性复合层欧姆接触。

可选的，在所述衬底上形成磁性复合层之前，先形成一层隔离层。

可选的，所述在所述衬底上形成磁性复合层的步骤包括：

先后淀积磁性材料和过渡材料，得到磁性复合层；

对所述磁性复合层进行退火处理；