[发明专利]一种三极管以及其封装方法

权利要求书

1.一种三极管，包括三极管芯片，环氧模塑料，引线框架和键合铜丝，其中引线框架包括基板、引脚、中筋和底筋，其特征在于，所述引线框架采用黄铜制作，所述引线框架预镀镍，镍层上再镀纯铜，纯铜层外镀锡。

2.根据权利要求1所述的三极管，其特征在于，所述黄铜为单相黄铜或者双相黄铜。

3.根据权利要求2所述的三极管，其特征在于，所述黄铜为H96-H65、H63-H59、H62。

4.根据权利要求1所述的三极管，其特征在于，所述黄铜为成分为63.5％～68％的铜，杂质含量不大于0.3％，其余成分为锌。

5.一种如权利要求1的三极管的封装方法，其特征在于，依次包括以下制造步骤：

1)划片；

2)粘片，将三极管芯片粘贴在引线框架的基板上，使三极管的集电极与基板实现欧姆接触；

3)压焊，将键合铜丝焊接在三极管芯片正面电极与引线框架的引脚上；

4)塑封，使用环氧模塑料对引线框架上的三极管芯片进行塑封成型保护；

5)后固化、去溢料、打标；

6)电镀锡；

7)切中筋、切粒，在三极管成型后将连接引线框架引脚间的中筋用冲压的方法切除，裸露切口处黄铜，在三极管成型后将连接引线框架引脚间的底筋用自动切粒机上高速转动的切粒刀切除以形成单个的三极管；

8)测试、包装。

6.根据权利要求5所述的三极管制备方法，其特征在于：所述粘片共晶工艺温度为380-470℃。

7.根据权利要求5所述的三极管制备方法，其特征在于：所述压焊主要工艺参数为超声功率为20-60mW，键合压力为50-120g，键合时间为6-20ms，保护气体氮气流量为400-800mL/min。

8.根据权利要求5所述的三极管制备方法，其特征在于：所述塑封模具温度为165-195℃，合模压力大于等于9.65MPa，转进压力大于等于1.4MPa，转进时间为1-20s，纯固化时间大于等于40s。