[发明专利]一种三极管以及其封装方法

说明书

本发明涉及三极管和三极管封装领域，具体为一种三极管以及其封装方法，所述三极管包括三极管芯片、引线框架，包括基板、引脚、中筋和底筋、键合铜丝和环氧模塑料，采用黄铜作为引线框架基板的材料，所述引线框架预镀有金属镍镀层，所述金属镍镀层上镀一层纯铜；一种三极管封装工艺，依次包括划片、粘片、压焊、塑封、后固化、去溢料、打标、电镀锡、切中筋、切粒、测试、包装。本发明三极管和常规的三极管性能相近，通过本发明的技术手段，节省了企业成本，创造了经济效益。

技术领域

本发明涉及半导体器件领域，尤其涉及一种三极管以及其封装方法。

背景技术

在现有技术中，三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。

随着电子技术的发展，三极管的使用越来越广泛，对于企业来说保证三极管质量的情况下，如何降低三极管的生产、封装成本，成为亟待解决的技术问题。

现有技术中，塑封三极管主要由三极管芯片、环氧模塑料、引线框架和键合丝构成。引线框架一般用KFC、C19400和C19200等磷青铜材料制成，因此，引线框架在塑封三极管总成本中所占比例较高。另外，引线框架在三极管封装成型后形成的引脚部分需电镀锡层以供装配时容易焊接。

文献CN 101404261A提出，通过在三极管封装时，减少框架厚度，例如降低框架引脚厚度为0.36-0.44mm，实现节约材料以降低物料成本，同时降低了产品的重量，使单个产品的运输费用降低。

然而上述方法，降低了引脚框架的厚度，从一方面来说增大了加工难度，另一方面必然会降低三极管的某些使用性能，例如强度等。

发明内容

针对现有技术中存在的缺陷或不足，本发明所要解决的技术问题是：提供一种性能不会出现降低、而制造成本降低的三极管以及其封装方法。

为了实现上述目的，本发明采取的技术方案为提供一种三极管，包括三极管芯片，环氧模塑料，引线框架和键合铜丝，其中引线框架包括框架基板、引脚、中筋、底筋，其特征在于，所述引线框架采用黄铜制作，所述引线框架预镀镍，镍层上再镀纯铜，纯铜层外镀锡。

作为本发明的一种改进，所述黄铜为单相黄铜或者双相黄铜。

作为本发明的一种改进，所述黄铜为H96-H65、H63-H59、H62。

作为本发明的一种改进，所述黄铜为成分为63.5％～68％的铜，杂质含量不大于0.3％，其余成分为锌。

为了实现本发明的目的，本发明还提供一种三极管封装方法。

一种三极管的封装方法，依次包括以下制造步骤：

1)划片；

2)粘片，将三极管芯片粘贴在引线框架的基板上，使三极管的集电极与基板实现欧姆接触；

3)压焊，将键合铜丝焊接在三极管芯片正面电极与引线框架的引脚上；

4)塑封，使用环氧模塑料对引线框架上的三极管芯片进行塑封成型保护；

5)后固化、去溢料、打标；

6)电镀锡；

7)切中筋、切粒，在三极管成型后将连接引线框架引脚间的中筋用冲压的方法切除，裸露切口处黄铜，在三极管成型后将连接引线框架引脚间的底筋用自动切粒机上高速转动的切粒刀切除以形成单个的三极管；

8)测试、包装。

作为本发明的一种改进，所述粘片共晶工艺温度为380-470℃。