[发明专利]光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法

权利要求书

1.一种光学邻近修正方法，其特征在于，包括：

提供目标图形，目标图形中具有若干子目标图形，子目标图形具有特征尺寸方向；

获取曝光能量极值E₀、曝光焦深极值f₀、曝光偏移能量E_δ和曝光偏移焦深f_φ；

在曝光能量极值E₀和曝光焦深极值f₀的条件下，对子目标图形进行OPC修正，得到初始修正图形；

在若干曝光条件下对初始修正图形进行若干次第一模拟曝光，得到若干曝光条件下的若干第一模拟曝光图形，在第一模拟曝光的若干曝光条件中，部分曝光条件的曝光能量为E₀，部分曝光条件的曝光能量为E₀+E_δ，部分曝光条件的曝光能量为E₀-E_δ，部分曝光条件的焦深为f₀，部分曝光条件的焦深为f₀-f_φ，部分曝光条件的焦深为f₀+f_φ；

在各第一模拟曝光图形中获取检测标记位置，所述检测标记位置对应的图形在特征尺寸方向的尺寸在第一阈值范围外；

根据检测标记位置对应的图形在特征尺寸方向的尺寸和第一阈值范围，对检测标记位置对应的初始修正图形进行至少一次修正，直至检测标记位置的图形在特征尺寸方向的尺寸在第一阈值范围内，获得修正图形。

2.根据权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，在进行所述第一模拟曝光的过程中，第一模拟曝光的曝光条件包括第一曝光条件至第九曝光条件；第一曝光条件、第二曝光条件和第三曝光条件的曝光能量均为E₀，第一曝光条件的焦深为f₀，第二曝光条件的焦深为f₀-f_φ，第三曝光条件的焦深为f₀+f_φ；第四曝光条件、第五曝光条件和第六曝光条件的曝光能量均为E₀-E_δ，第四曝光条件的焦深为f₀，第五曝光条件的焦深为f₀-f_φ，第六曝光条件的焦深为f₀+f_φ；第七曝光条件、第八曝光条件和第九曝光条件的曝光能量均为E₀+E_δ，第七曝光条件的焦深为f₀，第八曝光条件的焦深为f₀-f_φ，第九曝光条件的焦深为f₀+f_φ。

3.根据权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，f_φ为40纳米～45纳米。

4.根据权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，E_δ为E₀的3％～4％。

5.根据权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述第一阈值范围为[a，+∞]，其中，a大于零；检测标记位置对应的图形在特征尺寸方向的尺寸在第一阈值范围外时，检测标记位置对应的图形在特征尺寸方向的尺寸小于a；当检测标记位置对应的图形在特征尺寸方向的尺寸在第一阈值范围内时，检测标记位置对应的图形在特征尺寸方向的尺寸大于等于a。

6.根据权利要求5所述的光学邻近修正方法，其特征在于，获取各第一模拟曝光图形中的检测标记位置的方法包括：将各第一模拟曝光图形均划分为若干检测区域；获取各检测区域中图形在特征尺寸方向上的最小尺寸位置，在对应的检测区域中，最小尺寸位置处的图形具有最小尺寸；对比各最小尺寸位置处的最小尺寸与第一阈值范围；若最小尺寸在第一阈值范围外，则将最小尺寸对应的最小尺寸位置作为检测标记位置。