[发明专利]光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法

说明书

一种光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法，修正方法包括：对子目标图形进行OPC修正，得到初始修正图形；对初始修正图形进行若干次第一模拟曝光，得到若干曝光条件下的若干第一模拟曝光图形；在各第一模拟曝光图形中获取检测标记位置，所述检测标记位置对应的图形在特征尺寸方向的尺寸在第一阈值范围外；根据检测标记位置对应的图形在特征尺寸方向的尺寸和第一阈值范围，对检测标记位置对应的初始修正图形进行至少一次修正，获得修正图形。增大了修正图形的工艺窗口。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法。

背景技术

光刻技术是半导体制作技术中至关重要的一项技术，光刻技术能够实现将图形从掩膜版中转移到硅片表面，形成符合设计要求的半导体产品。光刻工艺包括曝光步骤、曝光步骤之后进行的显影步骤和显影步骤之后的刻蚀步骤。在曝光步骤中，光线通过掩膜版中透光的区域照射至涂覆有光刻胶的硅片上，光刻胶在光线的照射下发生化学反应；在显影步骤中，利用感光和未感光的光刻胶对显影剂的溶解程度的不同，形成光刻图案，实现掩膜版图案转移到光刻胶上；在刻蚀步骤中，基于光刻胶层所形成的光刻图案对硅片进行刻蚀，将掩膜版的图案进一步转移至硅片上。

在半导体制造中，随着设计尺寸的不断缩小，设计尺寸越来越接近光刻成像系统的极限，光的衍射效应变得越来越明显，导致最终对设计图形产生光学影像退化，实际形成的光刻图案相对于掩膜版上的图案发生严重畸变，最终在硅片上经过光刻形成的实际图形和设计图形不同，这种现象称为光学邻近效应(OPE：Optical Proximity Effect)。

为了修正光学邻近效应，便产生了光学邻近校正(OPC：Optical ProximityCorrection)。光学邻近校正的核心思想就是基于抵消光学邻近效应的考虑建立光学邻近校正模型，根据光学邻近校正模型设计光掩模图形，这样虽然光刻后的光刻图形相对应光掩模图形发生了光学邻近效应，但是由于在根据光学邻近校正模型设计光掩模图形时已经考虑了对该现象的抵消，因此，光刻后的光刻图形接近于用户实际希望得到的目标图形。

然而，现有技术中光学邻近校正的图形的工艺窗口较小。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法，以增大修正图形的工艺窗口。

为解决上述问题，本发明提供一种光学邻近修正方法，包括：提供目标图形，目标图形中具有若干子目标图形，子目标图形具有特征尺寸方向；获取曝光能量极值E₀、曝光焦深极值f₀、曝光偏移能量E_δ和曝光偏移焦深f_φ；在曝光能量极值E₀和曝光焦深极值f₀的条件下，对子目标图形进行OPC修正，得到初始修正图形；在若干曝光条件下对初始修正图形进行若干次第一模拟曝光，得到若干曝光条件下的若干第一模拟曝光图形，在第一模拟曝光的若干曝光条件中，部分曝光条件的曝光能量为E₀，部分曝光条件的曝光能量为E₀+E_δ，部分曝光条件的曝光能量为E₀-E_δ，部分曝光条件的焦深为f₀，部分曝光条件的焦深为f₀-f_φ，部分曝光条件的焦深为f₀+f_φ；在各第一模拟曝光图形中获取检测标记位置，所述检测标记位置对应的图形在特征尺寸方向的尺寸在第一阈值范围外；根据检测标记位置的图形在特征尺寸方向的尺寸和第一阈值范围，对检测标记位置对应的初始修正图形进行至少一次修正，直至检测标记位置对应的图形在特征尺寸方向的尺寸在第一阈值范围内，获得修正图形。