[发明专利]一种低温沉积硬度可控的类金刚石复合薄膜的方法在审
申请号: | 201810032374.X | 申请日: | 2018-01-12 |
公开(公告)号: | CN108396306A | 公开(公告)日: | 2018-08-14 |
发明(设计)人: | 苏峰华;陈国富 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | C23C16/26 | 分类号: | C23C16/26;C23C16/02;C23C14/16;C23C14/06;C23C14/35 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 何淑珍;冯振宁 |
地址: | 510640 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 类金刚石复合薄膜 低温沉积 复合薄膜 可控的 等离子体增强化学气相沉积 类金刚石涂层 碳化钛过渡层 中频磁控溅射 金刚石 低温制备 基底结合 金属基材 耐磨性能 钛过渡层 纯金属 硅片 基底 减摩 可控 沉积 | ||
1.一种低温沉积硬度可控的类金刚石复合薄膜的方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)将基底超声清洗,然后转移至真空室,固定于样品行星架上,样品行星架与负偏压电源相连,再将真空室抽真空;
(2)往真空室中通入氩气,真空度保持在0.1-1 Pa,开启离子源电源,在脉冲负偏压300-800 V,占空比20-50 %条件下进行等离子体清洗,用以去除基底表面残留的污染物与杂质;
(3)开启中频磁控溅射电源及相应的钛靶,改变氩气流量,真空度保持在0.3-1 Pa,在脉冲负偏压150-400 V,占空比为30-50 %,温度为28-32℃,沉积第一层纯金属钛过渡层,沉积时间为10-30 min;
(4)往真空室中通入乙炔与氩气,真空度保持在0.5-0.8 Pa,在脉冲负偏压100-300 V,占空比10-30 %,温度为32-37℃,沉积第二层碳化钛过渡层, 沉积时间为10-30 min;
(5)关闭中频磁控溅射电源,脉冲偏压电源及相应钛靶,通入乙炔及氢气,真空度保持在10-15 Pa,开启单极脉冲偏压电源,占空比为10-40 %,脉冲负偏压为1000-3000 V,温度为37-80 ℃,制备第三层类金刚石薄膜, 沉积时间为60-180 min,得类金刚石复合薄膜。
2.根据权利要求书1所述的一种低温沉积硬度可控的类金刚石复合薄膜的方法,其特征在于,步骤(1)所述超声清洗是在无水乙醇中超声清洗30 min。
3.根据权利要求书1所述的一种低温沉积硬度可控的类金刚石复合薄膜的方法,其特征在于,步骤(1)所述抽真空是直至真空室室内真空度达到1.0Í10-3 Pa。
4.根据权利要求书1所述的一种低温沉积硬度可控的类金刚石复合薄膜的方法,其特征在于,步骤(2)所述等离子体清洗的时间为15-30 min。
5.根据权利要求书1所述的一种低温沉积硬度可控的类金刚石复合薄膜的方法,其特征在于,步骤(3)所述第一层纯金属钛过渡层的厚度为0.1-0.4 μm。
6.根据权利要求书1所述的一种低温沉积硬度可控的类金刚石复合薄膜的方法,其特征在于,步骤(4)所述第二层碳化钛过渡层的厚度为0.2-0.6 μm。
7.根据权利要求书1所述的一种低温沉积硬度可控的类金刚石复合薄膜的方法,其特征在于,步骤(5)所述第三层类金刚石薄膜的厚度为4.5-5.5 μm。
8.根据权利要求书1所述的一种低温沉积硬度可控的类金刚石复合薄膜的方法,其特征在于,步骤(5)所述类金刚石复合薄膜的表面粗糙度Ra为10-15 nm,硬度为8-16 GPa。
9.根据权利要求书1所述的一种低温沉积硬度可控的类金刚石复合薄膜的方法,其特征在于,步骤(5)所述类金刚石复合薄膜与基底的结合力为43-56 N。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的