[发明专利]等离子体源

说明书

本发明提供一种离子或电子的引出效率高的等离子体源。等离子体源(1)包括：室(11)，具有用于将在内侧生成的离子或电子向外辐射的开口部(11a)；气体导入部(31)，向室(11)内导入气体；真空连接器(14)，设置在周壁(111)的与开口部(11a)相对的位置上；天线(15)，基端部(15a)与真空连接器(14)连接，在室(11)内朝向开口部(11a)延伸；第一绝缘体部(21)，覆盖天线(15)的位于室(11)内的前端部(15b)一侧的第一部位(P1)；第二绝缘体部(13)，覆盖天线(15)的位于室(11)内的基端部(15a)一侧的第二部位(P2)；以及导体部(16)，覆盖第二绝缘体部(13)。

技术领域

本发明涉及一种等离子体源。

背景技术

以往提出了一种离子自由基源，其包括：等离子体生成室；气体导入部，用于向等离子体生成室导入气体；天线，配置在等离子体生成室的内部；以及引出电极，配置在用于将等离子体生成室内的离子或自由基向等离子体生成室外辐射的开口部附近(例如参照专利文献1)。在此，天线的基端部固定在等离子体生成室内的与开口部相对的内壁上，其前端部向开口部突出。

专利文献1：日本专利公开公报特开平8-31358号

并且，在专利文献1记载的结构的离子自由基源中，在等离子体生成室内的天线的基端部附近生成的等离子体的密度较高。另一方面，在等离子体生成室内，距开口部的距离越远的位置生成的离子或电子利用引出电极从开口部向等离子体生成室外引出时的引出效率越低。因此，如果等离子体生成室内的等离子体的密度表现出距开口部的距离较远的天线的基端部附近变高的分布，则相应地离子或电子向等离子体生成室外的引出效率下降。

发明内容

鉴于上述问题，本发明的目的在于提供离子或电子的引出效率高的等离子体源。

为了达成上述目的，本发明提供一种等离子体源，其包括：室，呈箱状，具有用于将在内侧生成的离子或电子向外辐射的开口部；气体导入部，通过贯通所述室的周壁的供给通道，将气体导入所述室内；连接器，设置在所述周壁的与所述开口部相对的位置上；天线，基端部与所述连接器连接，在所述室内朝向所述开口部延伸；第一绝缘体部，覆盖所述天线的位于所述室内的前端部侧的第一部位；第二绝缘体部，覆盖所述天线的位于所述室内的所述基端部侧的第二部位；以及导体部，覆盖所述第二部位而不覆盖所述第一部位。

按照本发明，其包括：天线，基端部与连接器连接，在室内朝向开口部延伸；第一绝缘体部，覆盖天线的第一部位；第二绝缘体部，覆盖天线的第二部位；以及导体部，覆盖第二部位而不覆盖第一部位。由此，由于导体部的存在而降低了在室内的天线的第二部位周围产生的等离子体的密度，并且提高了室内的与第二部位的周围相比在靠近开口部的区域产生的等离子体的密度。因此具有如下优点：由于在室内靠近开口部的区域生成的离子或电子增加，所以相应地提高了利用引出电极将其从开口部向室外引出时的引出效率。

附图说明

图1是本发明的实施方式的等离子体源的断面图。

图2的(A)是实施方式的嵌合构件的分解立体图，(B)是实施方式的嵌合构件的断面图。

图3的(A)是实施方式的副绝缘体部的立体图，(B)是表示实施方式的副绝缘体部和天线的一部分的断面图。

图4的(A)是实施方式的罩部的断面图，(B)是实施方式的第二绝缘体部的断面图。

图5是表示实施方式的连接器和导体部的断面图。

附图标记说明