[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包含：

再布线，被设置在第一半导体芯片的主面上；

绝缘膜，覆盖所述再布线的表面，具有使所述再布线分别局部地露出的第一开口部以及第二开口部；

第一电极，被设置在所述绝缘膜上，在所述第一开口部与所述再布线连接，由与所述再布线相同的材料构成；以及

第二电极，被设置在所述绝缘膜上，在所述第二开口部与所述再布线连接，由与所述第一电极不同的材料构成。

2.一种半导体装置，包含：

再布线，被设置在第一半导体芯片的主面上；

绝缘膜，覆盖所述再布线的表面，具有使所述再布线分别局部地露出的第一开口部以及第二开口部；

第一电极，被设置在所述绝缘膜上，在所述第一开口部经由导电膜与所述再布线连接；以及

第二电极，被设置在所述绝缘膜上，在所述第二开口部与所述再布线连接，由与所述第一电极不同的材料构成。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第一电极以及所述第二电极经由导电膜与所述再布线连接。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

所述第二电极经由所述导电膜与所述再布线连接。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其中，

所述第一电极包含铜，

所述第二电极包含镍。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体装置，其中，

还包含第二半导体芯片，所述第二半导体芯片在主面具有与所述第二电极连接的第三电极。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，

所述第二电极和所述第三电极经由焊料连接。

8.一种半导体装置，包含：

第一半导体芯片；

第一绝缘膜，被设置于所述第一半导体芯片的主面；

再布线，经由第一导电膜而设置于所述第一绝缘膜的表面；

第二绝缘膜，覆盖所述再布线的表面，具有使所述再布线分别局部地露出的第一开口部以及第二开口部；

第一电极，被设置在所述第二绝缘膜上，一端在所述第一开口部经由第二导电膜与所述再布线连接，另一端与外部连接端子连接；

第二电极，被设置在所述第二绝缘膜上，在所述第二开口部经由所述第二导电膜与所述再布线连接，由与所述第一电极不同的材料构成；以及

第二半导体芯片，在主面具有经由焊料与所述第二电极连接的第三电极。

9.一种半导体装置的制造方法，包含：

在第一半导体芯片的主面形成第一绝缘膜的工序；

在所述第一绝缘膜的表面隔着第一导电膜形成再布线的工序；

形成覆盖所述再布线的表面并具有使所述再布线分别局部地露出的第一开口部以及第二开口部的第二绝缘膜的工序；

在所述第二绝缘膜上形成在所述第一开口部经由第二导电膜与所述再布线连接的第一电极的工序；

在所述第二绝缘膜上形成在所述第二开口部经由所述第二导电膜与所述再布线连接的、由与所述第一电极不同的材料构成的第二电极的工序；以及

将在主面具有第三电极的第二半导体芯片的所述第三电极与所述第二电极连接的工序。

10.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其中，

通过使用了与所述第一导电膜连接的第一电镀电极的电解电镀处理来形成所述再布线，

通过使用了与所述第二导电膜连接的第二电镀电极的电解电镀处理来形成所述第一电极以及所述第二电极。

11.根据权利要求9或者10所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述第一电极包含铜，

所述第二电极包含镍。