[发明专利]提高立方氮化硼单晶/聚晶合成棒内部温度均匀性的方法

权利要求书

1.一种提高立方氮化硼单晶/聚晶合成棒内部温度均匀性的方法，利用合成块合成立方氮化硼单晶/聚晶，合成块包括导电钢圈（1）、叶腊石块（2）、导电片（3）、碳杯（4）和位于碳杯（4）内的合成棒（5），其特征在于：在导电钢圈（1）的中央设置有辅助导电体（6），辅助导电体（6）在碳杯（4）中央诱生额外的电力线（7）以提高该点的发热量；所述辅助导电体（6）为导电管，导电管的壁厚为0.2-0.3mm，所述导电管设置为倒喇叭形，导电管下端与导电片（3）接触的地方开有多个沿导电管轴向的缝隙，在导电管下端形成多个弹片结构；外圈的导电钢圈（1）厚度为0.8-1.7mm，导电管的直径为2-5mm；所述辅助导电体（6）与导电片（3）之间设有中间垫层（8），所述中间垫层（8）由铜锡合金或青铜制成，中间垫层（8）的熔点为700-1000℃，导电钢圈（1）与导电片（3）之间没有中间垫层（8）。

2.根据权利要求1所述的提高立方氮化硼单晶/聚晶合成棒内部温度均匀性的方法，其特征在于：所述导电片（3）下表面还设有电力线阻挡环（9），电力线阻挡环（9）的外侧与导电片（3）的外侧平齐、内侧为圆形空白，电力线阻挡环（9）迫使电力线向靠近合成棒径向中心的位置靠拢。

3.根据权利要求2所述的提高立方氮化硼单晶/聚晶合成棒内部温度均匀性的方法，其特征在于：所述电力线阻挡环（9）为氧化铝陶瓷环。

4.根据权利要求2所述的提高立方氮化硼单晶/聚晶合成棒内部温度均匀性的方法，其特征在于：所述电力线阻挡环（9）的边缘设有凸起（10），电力线阻挡环（9）与导电片（3）紧密贴合。

5.根据权利要求1所述的提高立方氮化硼单晶/聚晶合成棒内部温度均匀性的方法，其特征在于：所述叶腊石块（2）径向方向设有高度为1-4mm的环形白云石空白带（11），所述白云石空白带（11）与合成棒（5）的中心点相对应，白云石空白带（11）以外的区域设置白云石保温层（12），白云石保温层（12）置于叶腊石块（2）的内壁上。