[发明专利]半导体存储装置以及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体存储装置，其特征在于，包括：

半导体基底；

图案化导电结构，设置于该半导体基底上，其中该图案化导电结构包括：

第一硅导电层；

第二硅导电层，设置于该第一硅导电层上，其中该第一硅导电层的厚度大于该第二硅导电层的厚度；

界面层，设置于该第一硅导电层与该第二硅导电层之间，其中该界面层包括氧；

阻障层，设置于该第二硅导电层上；以及

金属导电层，设置于该阻障层上，

其中该半导体基底上定义有存储单元区以及周围区，且该图案化导电结构设置于该存储单元区以及该周围区上，且设置于该存储单元区上的该图案化导电结构包括位线结构，以及

位线接触结构，设置于该存储单元区上，其中该位线接触结构设置于该阻障层与该半导体基底之间，该位线接触结构直接接触该第一硅导电层、该界面层以及该第二硅导电层。

2.如权利要求1所述的半导体存储装置，其中设置于该周围区上的该图案化导电结构包括栅极结构。

3.如权利要求1所述的半导体存储装置，其中该第二硅导电层的材料与该第一硅导电层的材料相同。

4.如权利要求1所述的半导体存储装置，其中该界面层薄于该第一硅导电层与该第二硅导电层。

5.如权利要求1所述的半导体存储装置，其中该界面层的厚度少于或等于50埃米。

6.如权利要求1所述的半导体存储装置，其中该界面层包括氧化硅或氮氧化硅。

7.一种半导体存储装置的制作方法，其特征在于，包括：

提供一半导体基底；

在该半导体基底上形成一图案化导电结构，其中该图案化导电结构包括：

第一硅导电层；

第二硅导电层，设置于该第一硅导电层上，其中该第一硅导电层的厚度大于该第二硅导电层的厚度；

界面层，设置于该第一硅导电层与该第二硅导电层之间，其中该界面层包括氧；

阻障层，设置于该第二硅导电层上；以及

金属导电层，设置于该阻障层上，

其中该半导体基底上定义有存储单元区以及周围区，且该图案化导电结构形成于该存储单元区以及该周围区上，其中形成于该存储单元区上的该图案化导电结构包括位线结构，且形成于该周围区上的该图案化导电结构包括栅极结构；以及

在该存储单元区上形成一位线接触结构，其中该位线接触结构直接接触该第一硅导电层、该界面层以及该第二硅导电层。

8.如权利要求7所述的半导体存储装置的制作方法，其中形成该图案化导电结构的步骤包括：

进行一第一沉积制作工艺，用以于该半导体基底上形成该第一硅导电层；

对该第一硅导电层的上表面进行一第一处理，用以形成该界面层；

进行一第二沉积制作工艺，用以于该界面层上形成该第二硅导电层；以及

对该第一硅导电层、该界面层以及该第二硅导电层进行一图案化制作工艺。

9.如权利要求8所述的半导体存储装置的制作方法，其中该第一处理包括一氧化二氮处理。

10.如权利要求8所述的半导体存储装置的制作方法，其中该第一沉积制作工艺、该第一处理以及该第二沉积制作工艺是于同一个化学气相沉积装置中进行。

11.如权利要求8所述的半导体存储装置的制作方法，还包括：

在形成该金属导电层的步骤之后，进行一热退火制作工艺，其中该阻障层与该金属导电层是于该第二沉积制作工艺之后以及该图案化制作工艺之前形成。

12.如权利要求11所述的半导体存储装置的制作方法，还包括：

在形成该阻障层的步骤之前，对该第二硅导电层的上表面进行一第二处理，其中该第二处理包括一氮化处理。