[发明专利]半导体存储装置以及其制作方法有效

申请号：	201810039341.8	申请日：	2018-01-16
公开（公告）号：	CN110047832B	公开（公告）日：	2021-11-02
发明（设计）人：	刘玮鑫;黄承栩;李瑞珉;陈意维	申请（专利权）人：	联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
主分类号：	H01L27/108	分类号：	H01L27/108;H01L21/8242
代理公司：	北京市柳沈律师事务所 11105	代理人：	陈小雯
地址：	中国台***	国省代码：	台湾;71
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摘要：
搜索关键词：	半导体存储装置及其制作方法
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【说明书】：

本发明公开一种半导体存储装置以及其制作方法。半导体存储装置包括半导体基底与图案化导电结构。图案化导电结构设置于半导体基底上。图案化导电结构包括第一硅导电层、第二硅导电层、界面层、阻障层以及金属导电层。第二硅导电层设置于第一硅导电层上，而界面层设置于第一硅导电层与第二硅导电层之间，且界面层包括氧。阻障层设置于第二硅导电层上，而金属导电层设置于阻障层上。

技术领域

本发明涉及一种半导体存储装置以及其制作方法，尤其是涉及一种具有图案化导电结构的半导体存储装置以及其制作方法。

背景技术

态随机存取存储器(dynamic random access memory，以下简称为DRAM)为一种挥发性(volatile)存储器，是许多电子产品中不可或缺的关键元件。DRAM由数目庞大的存储单元(memory cell)聚集形成一阵列区，用来存储数据，而每一存储单元可由一金属氧化半导体(metal oxide semiconductor，以下简称为MOS)晶体管与一电容(capacitor)串联组成。

存储单元的MOS晶体管结构因产品需求或/及存储单元密度等考虑而有许多不同的结构设计，故有时存储单元的MOS晶体管结构会与同一芯片上其他区域的晶体管结构不同，进而造成制作工艺上的复杂度提升。因此，如何有效地整合存储单元与其他区域中各元件的制作工艺对于相关业界来说是非常重要的课题。

发明内容

本发明提供了一种半导体存储装置以及其制作方法，在图案化导电结构中的硅导电层中插入界面层，而界面层可用以阻挡硼穿透效应并可用以防止硅导电层与其他材料层过度反应而产生缺陷，故可因此达到提升生产良率的效果。

本发明的一实施例提供一种半导体存储装置，包括一半导体基底以及一图案化导电结构。图案化导电结构设置于半导体基底上。图案化导电结构包括一第一硅导电层、一第二硅导电层、一界面层、一阻障层以及一金属导电层。第二硅导电层设置于第一硅导电层上。界面层设置于第一硅导电层与第二硅导电层之间，且界面层包括氧。阻障层设置于第二硅导电层上。金属导电层设置于阻障层上。

本发明的一实施例提供一种半导体存储装置的制作方法，包括下列步骤。首先，提供一半导体基底。在半导体基底上形成一图案化导电结构。图案化导电结构包括一第一硅导电层、一第二硅导电层、一界面层、一阻障层以及一金属导电层。第二硅导电层设置于第一硅导电层上。界面层设置于第一硅导电层与第二硅导电层之间，且界面层包括氧。阻障层设置于第二硅导电层上。金属导电层设置于阻障层上。

附图说明

图1为本发明第一实施例的半导体存储装置的示意图；

图2为本发明第一实施例的半导体存储装置的存储单元区的上视示意图；

图3为沿图2中B-B’剖线所绘示的剖视图；

图4至图8为本发明第一实施例的半导体存储装置的制作方法示意图，其中

图5为图4之后的状况示意图；

图6为图5之后的状况示意图；

图7为图6之后的状况示意图；

图8为图7之后的状况示意图；

图9为本发明第二实施例的半导体存储装置的制作方法示意图。

主要元件符号说明

10 半导体基底