[发明专利]MOS电容与MOM电容并联的版图结构在审

专利信息
申请号: 201810040057.2 申请日: 2018-01-16
公开(公告)号: CN108257952A 公开(公告)日: 2018-07-06
发明(设计)人: 武超;胡旭;张喆;杨季;胡毅;唐晓柯 申请(专利权)人: 北京智芯微电子科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H01L27/08
代理公司: 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 代理人: 周际;张鹏
地址: 100192 北京市海淀区*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 电容 版图结构 并联 极板 去耦 超深亚微米工艺 多层金属 极板极性 结构并联 衬底 堆叠 漏极 同层 源极 集成电路 叠加 金属
【权利要求书】:

1.一种MOS电容与MOM电容并联的版图结构,其特征在于,MOS电容层与MOM电容层相叠加,MOS电容的栅极与MOM电容的第一极板通过多个过孔相连,MOS电容的源极和漏极以及衬底通过多个过孔与MOM电容的第二极板相连,所述第一极板与所述第二极板极性相反。

2.根据权利要求1所述的MOS电容与MOM电容并联的版图结构,其特征在于,MOM电容由多个电容层并联叠加组成,每个电容层包括:

电容区,包括所述第一极板和所述第二极板,所述第一极板包括第一指电极阵列,所述第二极板包括第二指电极阵列,该第一指电极阵列和该第二指电极阵列包括多个互相平行的指电极,所述第一指电极阵列和所述第二指电极阵列之间相互啮合形成叉指状的电极阵列,

第一金属互联区,包括与所述指电极相垂直的第一金属长条,将所述第一指电极阵列中的各个指电极相互连接,以及

第二金属互联区,包括与所述指电极相垂直的第二金属长条,将所述第二指电极阵列中的各个指电极相互连接。

3.根据权利要求2所述的MOS电容与MOM电容并联的版图结构,其特征在于,所述第一金属长条和所述第二金属长条上分别有多个过孔,用于将MOM电容的多个电容层进行并联。

4.根据权利要求2所述的MOS电容与MOM电容并联的版图结构,其特征在于,所述金属长条的宽度和所述指电极的宽度均为W,所述第一金属长条与所述第二极板之间、所述第二金属长条与所述第一极板之间、所述第一极板与所述第二极板之间的间隙均为S,所述MOS电容的源极、漏极和衬底的区域共覆盖了所述MOM电容的6个指电极,当第一金属长条与第二金属长条之间的间隙为X,单个MOM电容层的指电极个数为M,则MOS电容的长度L以及MOS电容的宽度D的公式如下:

L=(M-6)×W+(M-7)×S,

D=X-2S。

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