[发明专利]一种基于石墨烯材质的陶瓷PCB制造工艺在审
申请号: | 201810040771.1 | 申请日: | 2018-01-16 |
公开(公告)号: | CN108200716A | 公开(公告)日: | 2018-06-22 |
发明(设计)人: | 伍钊雄;加长武 | 申请(专利权)人: | 中山市佳信电路板有限公司 |
主分类号: | H05K1/02 | 分类号: | H05K1/02;H05K3/20 |
代理公司: | 北京华仲龙腾专利代理事务所(普通合伙) 11548 | 代理人: | 李静 |
地址: | 528414 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基底 铜带 预设 感光湿膜 电路图 金属线路 石墨烯膜 制造工艺 陶瓷PCB 石墨烯 贴合 熔点 蚀刻 金属线路层 电路图形 曝光显影 预先获取 电镀液 电镀 放入 菲林 去除 生胚 湿膜 焊接 | ||
本发明提供了一种基于石墨烯材质的陶瓷PCB制造工艺,包括:在铜带基底的一面涂布一层感光湿膜;根据预定的电路图形,采用图形菲林对涂布有感光湿膜的铜带基底进行曝光显影;将带湿膜图形的铜带基底放入电镀液中进行电镀;去除带有预设厚度的金属线路层的铜带基底中的感光湿膜;在带有预设的电路图的铜带基底的另一面上形成一层石墨烯膜;将预先获取的生胚贴合在铜带基底的预设的电路图的表面上;使用预设的低于金属线路熔点的温度将贴合有生胚的带有预设的电路图的铜带基底烧制成一体由于不需要蚀刻,能得到厚度范围大且精度高的金属线路,同时,石墨烯膜具有较强的热量性能,可以快速地将焊接的LED光源产生的热量散去。
技术领域
本发明涉及LED技术领域,特别涉及一种基于石墨烯材质的陶瓷PCB制造工艺。
背景技术
陶瓷PCB是指有陶瓷基板构成的线路板,陶瓷基板是指铜箔在高温下直接键合到氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)陶瓷基片表面( 单面或双面)上的特殊工艺板,所制成的超薄复合基板具有优良电绝缘性能,高导热特性,优异的软钎焊性和高的附着强度,并可像PCB板一样能刻蚀出各种图形,具有很大的载流能力。因此,陶瓷基板已成为大功率电力电子电路结构技术和互连技术的基础材料。
现有技术中,一般采用以下几种方法制造陶瓷PCB:
1)HTFC(Hight-Temperature Fusion Ceramic),又称为高温熔合陶瓷基板,此技术将高温绝缘性及高热传导的AL2O3或AIN陶瓷基板的单面或双面,运用钢板移印技术,将高传导介质材料印制成线路,放置于850~950℃的烧结炉中烧结成型,即可完成。
2)LTCC(Low-Temperature Co-fired Ceramic) 又称为低温共烧多层陶瓷基板,此技术须先将无机的氧化铝粉与越 30~50%的玻璃材料加上有机粘结剂,使其混合均匀称为为泥装的浆料,接着利用刮刀把浆料刮成片状,再经由一道干燥过程将片状浆料形成一片片薄薄的生胚,然后依各层的设计钻导通孔,作为各层讯号的传递,LTCC内部线路则运用网版印刷技术,分别于生胚上做填孔及印制线路,内外电极则可分别使用银、铜、金等金属,最后将各层做叠层动作,放置于850~900℃的烧结炉中烧结成型,即可完成。
3) HTCC(Hight-Temperature Co-fired Ceramic),又称为高温共烧多层陶瓷,生产制造过程与LTCC极为相似,主要的差异点在于HTCC的陶瓷粉末并无玻璃材质,因此,HTCC必须在高温1200~1600℃环境下干燥硬化成生胚,接着同样钻上导通孔,以网版印刷技术填孔于印制线路,因其共烧温度较高,使得金属导体材料的选择受限,其主要的材料为熔点较高但导电性却较差的钨、钼或者锰等金属,最后再叠层烧结成型。
4) DBC(Direct Bonded Copper),又称直接接合铜基板,先将高绝缘性的 AL2O3或AIN陶瓷基板的单面或双面覆上铜金属后,经由高温1065~1085°C的环境加热,使铜金属因高温氧化,扩撒与AL2O3材质产生(Eutectic)共晶熔体,是铜金属陶瓷基板粘合,形陶瓷复合金属基板,最后依据线路设计,以蚀刻方式备至线路。
5)DPC(Direct Plate Copper),也称为直接镀铜基板,先将陶瓷基板做前处理清洁,利用薄膜专业制造技术—真空镀膜方式于陶瓷基板上溅镀于铜金属复合层,接着以黄光微影的光阻被覆曝光、显影及蚀刻,去膜制程完成线路制作,最后再以电镀/化学镀沉积方式增加线路的厚度,待光阻移除后即完成金属化线路制作。
石墨烯是单原子层的石墨片,具有优异的电学性质,其电子迁移率高达100 ,000cm2V-1s-1,最早于2004年由英国曼彻斯特大学的科学家制备出来。单层石墨烯中的电子在狄拉克点附近具有线性的色散关系,属于无质量的狄拉克费米子,其费米速度为光速的1/300。石墨烯的电阻率极低,电子迁移的速度极快,因此被期待可用来发展出更薄、导电速度更快的新一代电子元件或晶体管。
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