[发明专利]形成半导体器件的方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，包括：

在多个条上沉积第一硅层，其中，在所述多个条之间存在沟槽；

回蚀刻所述第一硅层以去除所述第一硅层的顶部，并且暴露所述多个条的一些部分，其中，在所述回蚀刻之后，位于所述沟槽的底部处的所述第一硅层的一些底部保留；

选择性生长第一锗层，其中，所述第一锗层从所述第一硅层的剩余部分选择性生长，并且在选择性生长所述第一锗层之后，所述多个条的暴露部分保持暴露；

在所述第一锗层上沉积第二硅层，其中，所述第二硅层接触所述多个条的暴露部分；以及

在所述第二硅层上沉积第二锗层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，生长所述第一锗层，直到完全填充所述多个条的两个相邻条之间的一个沟槽。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个条包括多个伪栅极堆叠件，并且所述方法还包括：

在所述多个伪栅极堆叠件上形成介电层，所述第一硅层沉积在所述介电层上；以及

去除所述第一硅层。

4.根据权利要求3所述的方法，还包括：

去除所述多个伪栅极堆叠件以形成凹槽；以及

在所述凹槽中形成替换栅极，在形成所述替换栅极之后去除所述第一硅层和所述第一锗层。

5.根据权利要求3所述的方法，还包括去除所述介电层。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个条包括多个半导体鳍，并且所述方法还包括在所述多个半导体鳍上形成伪栅极介电层，所述第一硅层沉积在所述伪栅极介电层上。

7.根据权利要求6所述的方法，还包括图案化所述第一硅层、所述第一锗层、所述第二硅层、所述第二锗层和所述伪栅极介电层以形成伪栅极堆叠件。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，在250℃和350℃之间的温度下生长所述第一锗层。

9.根据权利要求1所述的方法，还包括实施平坦化，其中，在所述平坦化中，平坦化所述第二锗层、所述第二硅层和所述第一锗层。

10.一种形成半导体器件的方法，包括：

基于多个半导体鳍形成源极/漏极区，其中，所述多个半导体鳍位于多个伪栅极堆叠件之间；

在所述源极/漏极区和所述多个伪栅极堆叠件上形成介电层；

在所述介电层上沉积第一硅层；

回蚀刻所述第一硅层，所述第一硅层的一些部分保留；

在所述第一硅层的剩余部分上生长第一锗层；

在所述第一锗层上生长第二硅层；

在所述第二硅层上生长第二锗层；

实施平坦化以平坦化所述第二锗层；

用替换栅极替换所述多个伪栅极堆叠件；以及

去除所述第一硅层、所述第一锗层、所述第二硅层和所述第二锗层。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，在所述平坦化中，也平坦化所述第二硅层和所述第一锗层。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第一锗层从所述第一硅层的剩余部分选择性地生长，并且在生长所述第一锗层的开始时间和终止时间，所述介电层的一些部分暴露。

13.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第一硅层没有锗，并且所述第一锗层没有硅。

14.根据权利要求10所述的方法，其中，生长所述第一锗层，直到完全填充所述多个伪栅极堆叠件的两个相邻的伪栅极堆叠件之间的沟槽。

15.根据权利要求10所述的方法，其中，在250℃和350℃之间的温度下生长所述第一锗层。