[发明专利]光器件晶片的加工方法

说明书

提供光器件晶片的加工方法，即使是莫氏硬度高的基板，也在分割后的器件芯片上形成倾斜面。该光器件晶片的加工方法沿着分割预定线将光器件晶片(W)分割成各个器件芯片(C)，构成为包含如下的步骤：对晶片基板照射吸收性波长的激光光线，在光器件晶片的背面上沿着分割预定线形成激光加工槽(12)；以及利用V形刀具(33)在背面上沿着激光加工槽形成V形槽(13)并使裂纹从激光加工槽向下方伸展而将光器件晶片分割成器件芯片，其中，激光加工槽形成得比V形刀具的切入深度浅。

技术领域

本发明涉及沿着分割预定线对光器件晶片进行分割的光器件晶片的加工方法。

背景技术

功率器件或LED(Light Emitting Diode，发光二极管)、LD(Laser Diode，激光二极管)等光器件是将以SiC、GaN等六方晶单晶作为原材料的功能层层叠在晶片的正面上并利用格子状的分割预定线对该功能层进行划分而形成的。作为这种对光器件晶片进行分割的方法，提出了如下的方法：沿着分割预定线对晶片照射吸收性波长的脉冲激光光线，从而形成作为断裂的起点的激光加工槽，沿着激光加工槽施加外力从而对光器件晶片进行分割(例如，参照专利文献1)。

专利文献1：日本特开平10-305420号公报

但是，以进一步提高分割后的光器件(器件芯片)的亮度为目标，期望在光器件的背面侧形成倾斜面而形成大致梯形的芯片形状。在该情况下，利用V形刀具在光器件晶片的背面侧沿着分割预定线形成V形槽，但光器件晶片的基板大多数是莫氏硬度高的材质，在利用V形刀具进行的切削加工中，裂纹会进入分割后的光器件的侧面而使品质劣化。另外，在激光加工中，无法在光器件晶片上形成V形槽，从而难以在分割后的光器件上形成倾斜面。

发明内容

本发明是鉴于该点而完成的，其目的之一在于提供一种光器件晶片的加工方法，即使是莫氏硬度高的基板，也能够在分割后的光器件上形成倾斜面。

本发明的一个方式的光器件晶片的加工方法将光器件晶片沿着形成于正面的分割预定线分割成各个光器件，其特征在于，该光器件晶片的加工方法包含如下的步骤：激光加工槽形成步骤，沿着该分割预定线照射对于晶片基板具有吸收性的波长的激光光线，在该光器件晶片上沿着该分割预定线形成激光加工槽；以及V形槽分割步骤，在实施了该激光加工槽形成步骤之后，利用前端呈V形状的切削刀具沿着该激光加工槽形成V形槽，并且一边利用该切削刀具将该激光加工槽去除，一边利用切削动作使龟裂从该激光加工槽伸展而将该光器件晶片分割成各个光器件，该激光加工槽是按照比利用该前端呈V形状的切削刀具切入的深度浅的深度而形成的。

本发明的另一个方式的光器件晶片的加工方法将光器件晶片沿着形成于正面的分割预定线分割成各个光器件，其特征在于，该光器件晶片的加工方法包含如下的步骤：激光加工槽形成步骤，沿着该分割预定线照射对于晶片基板具有吸收性的波长的激光光线，在该光器件晶片上沿着该分割预定线形成激光加工槽；V形槽形成步骤，在实施了该激光加工槽形成步骤之后，利用前端呈V形状的切削刀具沿着该激光加工槽形成V形槽，并且利用该切削刀具将该激光加工槽去除；以及分割步骤，在实施了该V形槽形成步骤之后，沿着该V形槽施加外力而将该光器件晶片分割成各个光器件，该激光加工槽是按照比利用该前端呈V形状的切削刀具切入的深度浅的深度而形成的。

根据这些结构，利用切削刀具在光器件晶片上沿着利用激光加工槽降低了强度的分割预定线而形成V形槽。此时，利用切削刀具进行V形槽形成时的加工负荷是沿着激光加工槽起作用的，因此多余的负荷难以施加在V形槽的侧面，能够抑制在分割后的光器件的侧面产生龟裂(裂纹)。另外，通过形成于晶片基板的V形槽，能够在分割后的光器件上形成倾斜面，从而增加光器件的光的取出量而提高亮度。

在本发明的一个方式的光器件晶片的加工方法中，在该激光加工槽形成步骤中，在要利用该前端呈V形状的切削刀具去除的区域内，沿着该分割预定线形成多个激光加工槽从而减少利用该前端呈V形状的切削刀具进行切削时的去除量。