[发明专利]引线框的制造方法和引线框有效
申请号: | 201810045059.0 | 申请日: | 2018-01-17 |
公开(公告)号: | CN108364873B | 公开(公告)日: | 2023-07-07 |
发明(设计)人: | 石桥贵弘 | 申请(专利权)人: | 株式会社三井高科技 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/495 |
代理公司: | 北京奉思知识产权代理有限公司 11464 | 代理人: | 刘欣欣;张润华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 引线 制造 方法 | ||
一种引线框的制造方法,包括:在金属板上形成图案的图案形成步骤,其中,图案包括:芯片焊盘、设置在芯片焊盘的周围的多条引线、设置为遮断多条引线与芯片焊盘的面对该多条引线的侧面之间的空间的虚设焊盘;在图案形成步骤之后利用镀层掩膜覆盖金属板的前表面的掩膜步骤,其中,镀层掩膜覆盖芯片焊盘的全部和虚设焊盘的至少一部分,并且包括形成为使多条引线的在芯片焊盘侧处的末端部露出的开口部;以及在掩膜步骤之后经由镀层掩膜的开口部在多条引线的末端部中形成镀膜的镀层步骤。
技术领域
本公开的实施例涉及引线框的制造方法和引线框。
背景技术
在现有技术的引线框中,为了提高与键合线的附着性,已知在形成于芯片焊盘(die pad)的四周的多条引线的末端部上形成诸如Ag镀层这样的镀膜的技术(例如,参见专利文献1)。
专利文献1:JP-A-11-340399
发明内容
然而,在现有技术的引线框中,当在利用由树脂板等构成的镀层掩膜覆盖引线框的同时在引线的末端部上形成镀膜时,镀层成分从镀层掩膜的露出引线的末端部的开口部扩散到芯片焊盘侧,并且可能在芯片焊盘的侧面上形成镀膜。
这里,在利用这样的引线框构成其中芯片焊盘的底面从密封树脂露出这样的露出焊盘型半导体装置的情况下,芯片焊盘与密封树脂之间的附着性由于形成在芯片焊盘的侧面上的镀膜而降低。因此,担心在芯片焊盘的侧面上发生密封树脂的剥落或破裂。
鉴于以上描述做出了实施例的方面,并且其目的是提供引线框的制造方法和引线框,其能够抑制芯片焊盘的侧面上的密封树脂的剥落或破裂。
根据实施例的方面的引线框的制造方法包括:图案形成步骤、掩膜步骤和镀层步骤。图案形成步骤在金属板上形成图案,其中,所述图案包括:芯片焊盘;多条引线,该多条引线设置在所述芯片焊盘的周围;虚设焊盘,该虚设焊盘设置为遮断所述多条引线与所述芯片焊盘的面对所述多条引线的侧面之间的空间。在所述图案形成步骤之后,掩膜步骤利用镀层掩膜覆盖所述金属板的前表面,其中,所述镀层掩膜覆盖所述芯片焊盘的全部和所述虚设焊盘的至少一部分,并且包括形成为用于使所述多条引线的在芯片焊盘侧的末端部露出的开口部。在所述掩膜步骤之后,镀层步骤经由所述镀层掩膜的开口部在所述多条引线的末端部中形成镀膜。
根据实施例的方面,能够提供能够抑制在芯片焊盘的侧面上发生密封树脂的剥落或破裂的引线框的制造方法和引线框。
附图说明
在附图中:
图1是图示出根据第一实施例的引线框的各个制造步骤的放大平面图和截面图;
图2A是通过使用根据第一实施例的引线框而构成的半导体装置的透视平面图;
图2B是沿着图2A所示的线IIB-IIB截取的截面图;
图3A是图示出根据第一实施例的变形例1的图案形成步骤的放大平面图;
图3B是图示出根据第一实施例的变形例2的图案形成步骤的放大平面图;
图3C是图示出根据第一实施例的变形例3的图案形成步骤的放大平面图;
图3D是图示出根据第一实施例的变形例4的图案形成步骤的放大平面图;
图4A是通过使用根据第二实施例的引线框而构成的半导体装置的透视平面图;
图4B是沿着图4A所示的线IVB-IVB截取的截面图;和
图5是图示出根据第二实施例的弯曲步骤的放大平面图和截面图。
与本公开的实施例的元件对应的参考标记列出如下:
1:引线框
10:芯片焊盘
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造