[发明专利]多晶硅引晶涂层的制备方法及铸锭坩埚

权利要求书

1.一种多晶硅引晶涂层的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

在坩埚的内侧壁涂设一层SiO₂后，将所述坩埚放入无尘车间静置；

将质量比为1:1的氮化硅和纯水混合后充分搅拌10-20min以形成第一混合物，并将所述第一混合物均匀填满所述坩埚的底部，以形成第一涂层，然后静置20-40min；

将质量比为3:6:1的氮化硅、纯水以及硅溶胶混合后充分搅拌15-25min以形成第二混合物，并将所述第二混合物均匀设于所述第一涂层上端，以形成第二涂层，并立即将与第二混合物中氮化硅的质量比为5：1的石英砂均匀设于所述第二涂层的上端，以形成第一石英砂层；

将设有第一石英砂层的所述坩埚自然静置15-20min后，再将与第二混合物中氮化硅的质量比为5：1的石英砂均匀设于所述第一石英砂层上端，以形成第二石英砂层，并将所述坩埚进行微波干燥，温度设定为60℃-70℃，干燥的时长为15-25min，其中，第二石英砂层中的石英砂嵌入第二涂层的深度小于第一次喷射的第一石英砂层中石英砂的深度，以使第一石英砂层和第二石英砂层形成交错的引晶层，且第一石英砂层和第二石英砂层为异质引晶；

其中，所述石英砂的粒径大小为70目-120目；

所述第一石英砂层和的第二石英砂层均通过静电喷枪喷射，以设置在相应的位置。

2.根据权利要求1所述的多晶硅引晶涂层的制备方法，其特征在于，所述形成第一涂层的方法包括：将所述第一混合物按照Z字形倒在所述坩埚的底部，并用刷子刷涂均匀。

3.根据权利要求1所述的多晶硅引晶涂层的制备方法，其特征在于，所述将所述第一混合物均匀填满所述坩埚的底部的步骤之前，所述方法还包括：利用毛刷刷涂将100g-400g纯水均匀涂抹于所述坩埚的底部，并静置1min。

4.根据权利要求1所述的多晶硅引晶涂层的制备方法，其特征在于，所述SiO₂的纯度大于99.99％。