[发明专利]存储装置在审
| 申请号： | 201810046665.4 | 申请日： | 2018-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN109524431A | 公开（公告）日： | 2019-03-26 |
| 发明（设计）人： | 石川贵之;岡嶋睦;塚本隆之 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 层间绝缘膜 导电层 伸长 存储装置 侧壁绝缘膜 可变电阻层 方向交叉 写入 | ||
1.一种存储装置，其特征在于具备：
第1层间绝缘膜，在第1方向伸长；
第2层间绝缘膜，在所述第1方向伸长；
第1导电层，在所述第1方向伸长且设置在所述第1层间绝缘膜与所述第2层间绝缘膜之间；
第2导电层，在与所述第1方向交叉的第2方向伸长；
可变电阻层，具有第1部分及第2部分，所述第1部分设置在所述第1层间绝缘膜与所述第2层间绝缘膜之间，所述第2部分设置在所述第2导电层与所述第1层间绝缘膜、所述第1导电层及所述第2层间绝缘膜之间；以及
侧壁绝缘膜，设置在所述第1部分与所述第1层间绝缘膜之间及所述第1部分与所述第2层间绝缘膜之间。
2.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于：还具备设置在所述第1导电层与所述第1部分之间的半导体区域。
3.一种存储装置，其特征在于具备：
多个层间绝缘膜，在第1方向伸长；
多个第1导电层，在所述第1方向伸长且分别设置在所述多个层间绝缘膜之间；
第2导电层，在与所述第1方向交叉的第2方向伸长；
可变电阻层，设置在所述第2导电层与所述多个层间绝缘膜及所述多个第1导电层之间，且具有多个第1部分及第2部分，
所述多个第1部分分别设置在所述多个层间绝缘膜间，
所述第2部分设置在所述第2导电层与所述多个第1部分之间及所述第2导电层与所述多个层间绝缘膜之间；以及
侧壁绝缘膜，设置在所述第1部分与所述层间绝缘膜之间；
一个所述第1导电层与所述第2导电层之间的第1距离比另一个所述第1导电层与所述第2导电层之间的第2距离短，
设置在与所述一个所述第1导电层相邻的所述层间绝缘膜和与所述一个所述第1导电层相邻的所述第1部分之间的所述侧壁绝缘膜的膜厚比设置在与所述另一个所述第1导电层相邻的所述层间绝缘膜和与所述另一个所述第1导电层相邻的所述第1部分之间的所述侧壁绝缘膜的膜厚小。
4.根据权利要求3所述的存储装置，其特征在于：与所述一个所述第1导电层相邻的所述第1部分的膜厚比与所述另一个所述第1导电层相邻的所述第1部分的膜厚大。
5.根据权利要求3或4所述的存储装置，其特征在于：还具备分别设置在所述多个第1导电层与所述多个第1部分之间的多个半导体区域。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东芝存储器株式会社，未经东芝存储器株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810046665.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：多像元集成铟镓砷雪崩二极管四象限光电探测芯片
- 下一篇：存储装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
