[发明专利]存储装置

说明书

本发明的实施方式提供一种容易写入的存储装置。实施方式的存储装置具备：第1层间绝缘膜，在第1方向伸长；第2层间绝缘膜，在第1方向伸长；第1导电层，在第1方向伸长且设置在第1层间绝缘膜与第2层间绝缘膜之间；第2导电层，在与第1方向交叉的第2方向伸长；可变电阻层，具有第1部分及第2部分，第1部分设置在第1层间绝缘膜与第2层间绝缘膜之间，第2部分设置在第2导电层与第1层间绝缘膜、第1导电层及第2层间绝缘膜之间；以及侧壁绝缘膜，设置在第1部分与第1层间绝缘膜之间及第1部分与第2层间绝缘膜之间。

[相关申请案]

本申请案享有以日本专利申请案2017-179789号(申请日：2017年9月20日)为基础申请案的优先权。本申请案通过参照该基础申请案而包含基础申请案的所有内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及一种存储装置。

背景技术

作为大容量的非易失性存储器，代替以往的浮动闸型NAND闪存的2端子的可变电阻型存储器得到广泛开发。该类型的存储器能够实现低电压、低电流动作，高速切换、存储器单元的微细化、高集成化。

在大容量存储器阵列中，交叉排列着多个被称为位线及字线的金属配线，在位线与字线的交点形成存储器单元。1个存储器单元的写入是通过对连接于该单元的位线BL与字线WL施加电压来进行。

发明内容

实施方式提供一种容易写入的存储装置。

实施方式的存储装置具备：第1层间绝缘膜，在第1方向伸长；第2层间绝缘膜，在第1方向伸长；第1导电层，在第1方向伸长且设置在第1层间绝缘膜与第2层间绝缘膜之间；第2导电层，在与第1方向交叉的第2方向伸长；可变电阻层，具有第1部分及第2部分，第1部分设置在第1层间绝缘膜与第2层间绝缘膜之间，第2部分设置在第2导电层与第1层间绝缘膜、第1导电层及第2层间绝缘膜之间；以及侧壁绝缘膜，设置在第1部分与第1层间绝缘膜之间及第1部分与第2层间绝缘膜之间。

附图说明

图1是第1实施方式的存储装置的框图。

图2是第1实施方式的存储装置的存储器单元阵列的等效电路图。

图3是第1实施方式的存储装置的存储器单元阵列的主要部分的示意剖视图。

图4是表示第1实施方式的存储装置的制造方法中的、制造中途的存储装置的示意剖视图。

图5是表示第1实施方式的存储装置的制造方法中的、制造中途的存储装置的示意剖视图。

图6是表示第1实施方式的存储装置的制造方法中的、制造中途的存储装置的示意剖视图。

图7是表示第1实施方式的存储装置的制造方法中的、制造中途的存储装置的示意剖视图。

图8(a)及(b)是说明第1实施方式的存储装置的存储器阵列的作用效果的图。

图9是第2实施方式的存储装置的存储器单元阵列的主要部分的示意剖视图。

图10是第3实施方式的存储装置的存储器单元阵列的示意剖视图。

图11(a)及(b)是第3实施方式的存储装置的存储器单元阵列的主要部分的示意剖视图。

图12(a)及(b)是第4实施方式的存储装置的存储器单元阵列的主要部分的示意剖视图。

具体实施方式

以下，使用附图对实施方式进行说明。此外，在附图中，对相同或类似的部位标注相同或类似的符号。

(第1实施方式)