[发明专利]半导体元件及其制作方法有效
| 申请号： | 201810048649.9 | 申请日： | 2018-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN110061001B | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | 刘志建;张家隆;吴姿锦;徐伟伦 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制作方法 | ||
1.一种半导体元件，其特征在于，包含：
位线结构，设于一基底上；
第一间隙壁，环绕该位线结构，其中该第一间隙壁底部切齐该位线结构底部；
第二间隙壁，设于该第一间隙壁侧壁，其中该第二间隙壁包含下半部以及上半部且该下半部及该上半部包含不同材料，该第一间隙壁侧壁切齐该第二间隙壁侧壁；以及
第三间隙壁，设于该第二间隙壁侧壁，该第三间隙壁于该位线结构两侧为不对称结构，其中一侧为L形，另一侧为I形，且该第一间隙壁向下延伸并接触该第三间隙壁正下方之一浅沟绝缘。
2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一间隙壁以及该第三间隙壁包含相同材料。
3.如权利要求1所述的半导体元件，其中该位线结构包含导电层、金属层设于该导电层上、以及掩模层设于该金属层上。
4.如权利要求3所述的半导体元件，其中该下半部上表面高于该金属层上表面。
5.如权利要求3所述的半导体元件，其中该下半部下表面低于该导电层上表面。
6.如权利要求3所述的半导体元件，其中该上半部下表面高于该金属层上表面。
7.一种半导体元件，其特征在于，包含：
位线结构，设于一基底上；
第一间隙壁，环绕该位线结构，其中该第一间隙壁底部切齐该位线结构底部；
第二间隙壁，设于该第一间隙壁侧壁，该第一间隙壁侧壁切齐该第二间隙壁侧壁；
第三间隙壁，设于该第二间隙壁侧壁，该第三间隙壁于该位线结构两侧为不对称结构，其中一侧为L形，另一侧为I形，且该第一间隙壁向下延伸并接触该第三间隙壁正下方之一浅沟绝缘；以及
气孔，设于该第二间隙壁正下方。
8.如权利要求7所述的半导体元件，其中该第一间隙壁以及该第三间隙壁包含相同材料。
9.如权利要求7所述的半导体元件，其中该位线结构包含导电层、金属层设于该导电层上、以及掩模层设于该金属层上。
10.如权利要求9所述的半导体元件，其中该气孔顶部高于该金属层上表面。
11.如权利要求9所述的半导体元件，其中该气孔底部低于该导电层上表面。
12.如权利要求9所述的半导体元件，其中该第二间隙壁下表面高于该金属层上表面。
13.如权利要求12所述的半导体元件，其中该气孔由该第一间隙壁、该第二间隙壁以及该第三间隙壁所环绕。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
