[发明专利]一种抛光液及其制备方法有效
申请号: | 201810049654.1 | 申请日: | 2018-01-18 |
公开(公告)号: | CN108178987B | 公开(公告)日: | 2022-07-01 |
发明(设计)人: | 蒋秋菊 | 申请(专利权)人: | 上海彤程电子材料有限公司;彤程新材料集团股份有限公司 |
主分类号: | C09G1/02 | 分类号: | C09G1/02 |
代理公司: | 深圳市兰锋盛世知识产权代理有限公司 44504 | 代理人: | 罗炳锋 |
地址: | 201400 上海市奉贤区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 抛光 及其 制备 方法 | ||
本发明涉及一种抛光液及其制备方法,属于精密加工领域。一种抛光液,所述抛光液按质量百分比,包括1~25%的磨料颗粒和75~99%的基液,所述磨料颗粒为平均粒径为0.5~50微米的金刚石颗粒。所述基液的制备方法包括下述工艺步骤:将SiO2纳米粒子进行预处理;制备共聚物溶液,将预处理所得SiO2纳米粒子溶于步骤所得共聚物溶液中,超声分散,干燥;将干燥所得SiO2纳米粒子按与介质溶剂的质量比为10:4~8分散于介质溶剂中,超声分散,得抛光液用基液。本发明所述抛光液一方面保证了制备过程中二氧化硅纳米粒子具有好的分散性,另一方面在使用该非牛顿流体进行抛光时,抛光液内纳米粒子粒子簇的形成,保证了抛光效果和速率。
技术领域
本发明涉及一种抛光液及其制备方法,属于精密加工领域。
背景技术
目前,常用的抛光方法包括化学抛光、机械抛光、电解抛光、超声波抛光、磁研磨抛光、化学机械抛光等,其中,一部分方式,如机械抛光、化学机械抛光由于其抛光方式的局限性仅适用于平面的平坦化抛光,而不适用于曲面工件的抛光。而其他可用于曲面的抛光方式也各有其问题。如磁研磨抛光,该抛光方法是利用磁性磨料在磁场作用下形成磨料刷,对工件磨削加工。这种方法加工效率高,质量好,加工条件容易控制,工作条件好,但是其需要交为复杂的磁场发生装置及控制系统,成本和能耗高。再如,电解抛光基本原理与化学抛光相同,即靠选择性的溶解材料表面微小凸出部分,使表面光滑。与化学抛光相比,可以消除阴极反应的影响,效果较好。但是电解液多为腐蚀性液体,易造成污染。
利用非牛顿流体的剪切增稠特性进行抛光是目前较为新兴的抛光手段,其是利用非牛顿流体的剪切增稠特性和磨粒对工件表面进行抛光。较为常见的非牛顿流体是将纳米二氧化硅粒子溶于少量的聚合物中,形成粘度较大的非牛顿流体,其制备一般需要多次的分散、干燥,再分散、在干燥的过程,该方法工艺复杂且成功率低。这主要是由于纳米粒子具有较高的比表面积及表面活性能,极易发生团聚。为了避免二氧化硅纳米粒子发生团聚,可对其进行表面改性,虽然改性后的二氧化硅纳米粒子可以较好的分散于聚合物中,但是却妨碍了粒子簇的形成,降低了抛光效果和速率。
发明内容
为解决上述技术问题,本发明的目的是提供一种抛光液,该抛光液包括剪切增稠流体基液和磨粒。该抛光液适用于各种表面形状工件的抛光,尤其适用于曲面工件进行表面抛光。该基液无腐蚀性,且具有非常好的剪切增稠特性,适用于金属、陶瓷工件的表面加工。
一种抛光液,所述抛光液按质量百分比,包括1~25%的磨料颗粒和75~99%的基液,所述磨料颗粒为平均粒径为0.5~50微米的金刚石颗粒,
所述基液按下述方法制备所得, 包括下述工艺步骤:
(1)将SiO2纳米粒子与硅烷偶联剂和乙二醇按质量比为100:1~2:5~10混合后进行球磨,球磨时间至少0.5h,球磨后进行干燥,得到预处理的SiO2纳米粒子;
(2)将顺丁烯二酸酐按与水的质量比为15~50:100溶于水中,90~105℃,在过硫酸铵存在下使其与丙烯酸反应4~6 h,反应同时向反应液内滴加质量分数为30~40%NaOH溶液,反应完毕后调节溶液pH值为7~7.5,得共聚物溶液,其中,顺丁烯二酸酐与丙烯酸的摩尔比1:0.5~2,过硫酸铵与顺丁烯二酸酐的摩尔比为0.1~5:100;
(3)将步骤(1)所得预处理的SiO2纳米粒子按0.5~5g:10mL溶于步骤(2)所得共聚物溶液中,超声分散,干燥;将干燥所得SiO2纳米粒子按与介质溶剂的质量比为10:4~8分散于介质溶剂中,超声分散,得抛光液用基液。
本发明所述抛光液,优选所述抛光液按质量百分比,由1~25%的磨料颗粒和75~99%的基液组成。
上述技术方案所述抛光液按下述方法制得:将磨粒分批加入到基液中,加入中持续进行超声分散。
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