[发明专利]封装结构及其制造方法在审
申请号: | 201810051690.1 | 申请日: | 2018-01-16 |
公开(公告)号: | CN108321128A | 公开(公告)日: | 2018-07-24 |
发明(设计)人: | 林汉文;徐宏欣;张简上煜;林南君 | 申请(专利权)人: | 力成科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/48;H01L21/56;H01L21/60 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马雯雯;臧建明 |
地址: | 中国台湾新竹县*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 重布线路层 晶粒 第一表面 封装结构 堆叠结构 导电柱 电连接 主动面 第二表面 后表面 接合 黏着 制造 | ||
一种封装结构及其制造方法,所述封装结构包括第一重布线路层、第二重布线路层、晶粒、多个导电柱以及晶粒堆叠结构。第一重布线路层具有第一表面以及相对于第一表面的第二表面。第二重布线路层位于第一表面上。晶粒位于第一重布线路层与第二重布线路层之间,并且具有主动面以及相对于主动面的后表面。主动面黏着于第一表面,且晶粒电连接至第一重布线路层。导电柱位于并电连接至第一重布线路层与第二重布线路层之间。晶粒堆叠结构接合在第二重布线路层上。
技术领域
本发明涉及一种封装结构,尤其涉及一种具有晶粒堆叠结构的封装结构及其制造方法。
背景技术
为了使电子产品设计实现轻、薄、短、小的特征,科技不断进步以试图开发出体积更小、重量更轻、整合性更高以及在市场上竞争力更高的产品。随着产品的体积逐渐缩小,封装结构中的晶粒也需要在各种维度下更加缩小,如:厚度。因此,如何将封装结构微型化以达成电子产品朝向轻薄、短小的设计趋势,实为目前研究人员亟欲解决的课题。
发明内容
本发明提供一种半导体封装结构及其制造方法,其可以有效地减少封装结构的整体体积及线路长度。
本发明提供一种封装结构,其包括第一重布线路层、第二重布线路层、晶粒、多个导电柱以及晶粒堆叠结构。第一重布线路层具有第一表面以及相对于第一表面的第二表面。第二重布线路层位于第一重布线路层的第一表面上。晶粒配置于第一重布线路层与第二重布线路层之间。晶粒具有主动面以及相对于主动面的后表面,其中主动面粘着于第一重布线路层的第一表面,且晶粒电连接至第一重布线路层。导电柱位于第一重布线路层与第二重布线路层之间,且导电柱电连接至第一重布线路层与第二重布线路层。晶粒堆叠结构接合在第二重布线路层上。
在本发明的一实施例中,封装结构还包括晶粒粘着层,位于所述晶粒的所述后表面与所述第一重布线路层之间。
在本发明的一实施例中,晶粒堆叠结构包括多个晶粒。
本发明提供一种封装结构的制造方法。此方法至少包括以下步骤。提供载体基板。于载体基板上形成第一重布线路层。第一重布线路层具有第一表面以及相对于第一表面的第二表面。载体基板黏着于第二表面上。于第一表面上形成多个导电柱。于第一表面上与多个导电柱之间粘着多个晶粒。各个晶粒具有主动面以及相对于主动面的后表面。通过绝缘密封体包封晶粒与导电柱。于晶粒与绝缘密封体上方形成第二重布线路层。晶粒通过主动面接合至第二重布线路层。将载体基板与第一重布线路层分离。于第一重布线路层上接合晶粒堆叠结构。
在本发明的一实施例中,封装结构的制造方法还包括以下步骤。在通过绝缘密封体包封多个晶粒与多个导电柱的步骤后,薄化绝缘密封体以暴露出多个导电柱。
在本发明的一实施例中,晶粒堆叠结构通过引线焊接至第一重布线路层。
在本发明的一实施例中,封装结构的制造方法还包括以下步骤。于第二重布线路层上形成多个球垫。
在本发明的一实施例中,封装结构的制造方法还包括以下步骤。通过第二绝缘密封体将晶粒堆叠结构包封于第一重布线路层上。
本发明提供一种封装结构的制造方法。此方法至少包括以下步骤。提供第一载体基板。于第一载体基板上形成第一重布线路层。第一重布线路层具有第一表面以及相对于第一表面的第二表面。第一表面面向第一载体基板。将第一重布线路层由第一载体基板转移至第二载体基板。第二载体基板贴附于第一重布线路层的第二表面。于第一表面上形成多个导电柱。于第一表面上与导电柱之间配置多个晶粒。各个晶粒具有主动面以及相对于主动面的后表面。晶粒的主动面面向第一重布线路层的第一表面。晶粒电连接至第一重布线路层。通过绝缘密封体包封晶粒与导电柱。于晶粒、导电柱与绝缘密封体上方形成第二重布线路层。第二重布线路层贴附于晶粒的后表面。将第二载体基板与第一重布线路层分离。将晶粒堆叠结构接合至第二重布线路层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于力成科技股份有限公司,未经力成科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810051690.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。