[发明专利]优先化错误检测与调度

说明书

集成电路可以包括多个配置随机存取存储器(CRAM)区段，其将逻辑区段配置为执行用户定义的功能。由CRAM区段配置的逻辑电路可以在其对于集成电路的操作的关键度方面变化。可以向错误检测电路提供优先化错误检测调度，允许对用于配置对集成电路的操作而言关键的逻辑电路的区段进行更频繁的检查。在给定CRAM区段中检测到错误时，灵敏度映射可以用于确定对应于有错误的CRAM区段的逻辑位置。灵敏度处理器可以向逻辑位置指派关键度等级，并且可以基于对应于区段的关键度等级和逻辑位置来确定针对有错误的CRAM区段的适当校正动作。

背景技术

本发明涉及用于针对具有存储器的集成电路来执行优先化错误检测的设备和方法，并且更具体地，涉及具有被划分成区段的配置随机存取存储器的集成电路。

可编程集成电路是可以由用户进行编程以实现期望的定制逻辑功能的类型的集成电路。在可编程集成电路上实现的逻辑功能可以用于执行对集成电路的总体功能具有变化的关键度或重要度的程度的各种任务。例如，一些逻辑功能可以负责对外围电路的控制，而其它逻辑功能可以负责对从属逻辑电路的监督或编配。

可编程集成电路中的配置随机存取存储器(CRAM)指的是指定用于存储用于实现用户逻辑功能的配置数据的存储器单元。存储在CRAM中的逻辑值应用于在设备内执行不同功能的可编程集成电路中的电路。这些不同功能可以具有相应的关键度等级。因此，用于对这些电路进行编程的CRAM单元可以具有对于可编程集成电路设备的运转而不同的相应的关键度等级。

常规的可编程电路针对错误一致地对CRAM单元进行扫描，利用公共频率或者以单一速率针对错误对CRAM内的每个单元进行检查。可以针对错误被检查的CRAM单元的数量受可以读取CRAM单元的速率的限制。可以同时读取的CRAM单元的数量是受以下的限制的：例如，用于可编程集成电路的电力递送电路、分配给CRAM单元和电力递送电路的硅面积(或者管芯面积)的量、和/或分配给CRAM单元和电力递送电路的金属互连层使用的量。特别地，读取数量超过CRAM单元的阈值数量的CRAM单元将导致服务于CRAM单元的共享电力轨上的电压骤降，使可编程集成电路脱离可接受或可使用的操作范围/规范。

CRAM单元易受在CRAM单元中引起位反转的单粒子翻转(SEU)的影响。因为SEU不是永久性故障(或者“硬”错误)并且可以被逆转(通过将正确的值重新写入受影响的存储器单元)，所以SEU有时被称为“软错误”。当一个或多个CRAM单元由于SEU而经历位反转时，CRAM中的错误可能变得更加难以检测和校正。此外，系统检测并校正SEU用时越久，则错误不利地影响系统操作或者导致设备资源的故障/错误操作的可能性越会增加。出于该原因，所期望的是频繁地对CRAM阵列执行错误检测操作。

然而，在常规的CRAM阵列中，任意单个CRAM单元的错误检测频率受阵列的大小以及用于操作可编程集成电路的电源的能力的限制。特别地，常规的CRAM阵列以一致的方式进行错误检测，其中每个CRAM单元以公共频率针对错误被检查。作为示例，如果可编程集成电路具有每次检测一行CRAM位中的错误的能力，如果可编程集成电路用100纳秒(ns)来检查每行并且如果CRAM阵列具有100,000行，则在常规的布置中每一千万ns或者10毫秒(ms)检查CRAM阵列中的每个位。

然而，在某些应用中，持续超过5ms、2ms、或者甚至1ms的配置关键逻辑功能的CRAM单元中的错误可能导致不可接受的性能退化或者甚至故障。

因此，需要改进的方法以用于向具有存储器单元的阵列的集成电路提供错误检测能力。

发明内容

优先化错误调度可以由设备管理器使用以对集成电路中的配置随机存取存储器(CRAM)单元执行优先化错误检测。可以将具有CRAM单元的阵列的集成电路划分成区段，其中的每个区段设置有可以使用状态机、常规处理器、或者任意其它适合的逻辑电路来实现的本地系统管理器。CRAM单元的每个区段的本地系统管理器可以从设备管理器接收相应的控制，该设备管理器可以用于命令本地系统管理器对CRAM单元的其相应区段执行错误检测。