[发明专利]多晶硅薄膜的制作方法有效
| 申请号： | 201810052171.7 | 申请日： | 2018-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN108493094B | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 朱阳杰;李俊峰 | 申请（专利权）人： | 昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人： | 杨波 |
| 地址： | 215300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶 薄膜 制作方法 | ||
1.一种多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，包括：
提供一基板；
在所述基板的上表面利用溶液法形成量子点层，其中，通过控制量子点的溶液浓度和涂布速度调节量子点的密度；
在所述量子点层上形成非晶硅薄膜；以及
将所述非晶硅薄膜中的非晶硅晶化，以形成多晶硅薄膜；
其中，所述量子点层中的量子点密度均匀，所述密度均匀的量子点用于作为诱导非晶硅晶化的晶籽；
所述量子点为水溶性量子点或非水溶性量子点，其中，所述水溶性的量子点为Ⅱ-Ⅵ族水溶性的CdSe、ZnO、PbS、CdTe中的一种；或者，
所述量子点为硅量子点。
2.如权利要求1所述的多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，利用溶液法或化学气相沉积法在所述基板的上表面形成量子点层。
3.如权利要求1所述的多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，所述量子点层的厚度在1-2nm之间。
4.如权利要求1所述的多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，所述量子点层中的量子点的直径在2-5nm之间。
5.如权利要求1所述的多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，采用准分子激光退火法将所述非晶硅薄膜中的非晶硅晶化。
6.如权利要求1所述的多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，利用化学气相沉积法在所述量子点层上形成非晶硅薄膜。
7.如权利要求1所述的多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，所述基板包括衬底、形成于所述衬底的上表面的氮化硅层、形成于所述氮化硅层的上表面的氧化硅层。
8.如权利要求7所述的多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，利用化学气相沉积法在所述衬底的上表面形成氮化硅层，并利用化学气相沉积法在所述氮化硅层的上表面形成氧化硅层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
