[发明专利]多晶硅薄膜的制作方法

说明书

本发明提供一种多晶硅薄膜的制作方法，包括提供一基板；在所述基板的上表面形成量子点层；在所述量子点层上形成非晶硅薄膜；以及将所述非晶硅薄膜中的非晶硅晶化，以形成多晶硅薄膜；其中，所述量子点层中的量子点密度均匀，所述密度均匀的量子点用于作为诱导非晶硅晶化的晶籽。本发明的多晶硅薄膜的制作方法在基板上形成大小及位置可控的量子点，并利用密度均匀的量子点作为诱导非晶硅晶化的晶籽，从而能增大多晶硅晶畴尺寸并改善晶畴尺寸的均一性，进而提高多晶硅的迁移率的大小和均匀性。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种多晶硅薄膜的制作方法。

背景技术

多晶硅薄膜由于效率稳定性好、光电转换效果高等优点而被广泛的应用于各种光电器件及薄膜晶体管栅极等的制作中。

多晶硅薄膜的制备工艺可分为两大类：一类是高温工艺例如低压气相化学气相沉积((Low Pressure Chemical Vapor Deposition,LPCVD)法、固相晶化法等，制备过程中温度高于600℃,衬底需使用昂贵的石英，但制备工艺较简单。另一类是低温工艺例如准分子激光晶化(Excimer Laser Anneal,ELA)法，整个加工工艺温度低于600℃，可用廉价玻璃作衬底，因此可以大面积制作，但是制备工艺较复杂。

但目前的工艺在对非晶硅进行晶化时，仍然会由于接近完全熔融区作为晶籽(又称为晶种)的未熔融的非晶硅是随机产生的，且大小不够大，因此，作为晶籽的未熔融的非晶硅的密度难以控制，这样就容易导致多晶硅晶畴尺寸较小(一般在0.3-0.4um之间)而造成多晶硅迁移率不高，并容易导致多晶硅晶畴尺寸的均一性差而影响多晶硅迁移率的大小和均匀性。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种能增大多晶硅晶畴尺寸并改善晶畴尺寸的均一性，进而提高多晶硅的迁移率的大小和均匀性的多晶硅薄膜的制作方法。

本发明提供一种多晶硅薄膜的制作方法，包括提供一基板；在所述基板的上表面形成量子点层；在所述量子点层上形成非晶硅薄膜；以及将所述非晶硅薄膜中的非晶硅晶化，以形成多晶硅薄膜；其中，所述量子点层中的量子点密度均匀，所述密度均匀的量子点用于作为诱导非晶硅晶化的晶籽。

进一步地，利用溶液法或化学气相沉积法在所述基板的上表面形成量子点层。

进一步地，所述量子点层的厚度在1-2nm之间。

进一步地，所述量子点层中的量子点的直径在2-5nm之间。

进一步地，所述量子点为水溶性量子点或非水溶性量子点。

进一步地，所述量子点为硅量子点。

进一步地，采用准分子激光退火法将所述非晶硅薄膜中的非晶硅晶化。

进一步地，利用化学气相沉积法在所述量子点层上形成非晶硅薄膜。

进一步地，所述基板包括衬底、形成于所述衬底的上表面的氮化硅层、形成于所述氮化硅层的上表面的氧化硅层。

进一步地，利用化学气相沉积法在所述衬底的上表面形成氮化硅层，并利用化学气相沉积法在所述氮化硅层的上表面形成氧化硅层。

本发明的多晶硅薄膜的制作方法在基板上形成大小及位置可控的量子点，并利用密度均匀的量子点作为诱导非晶硅晶化的晶籽，从而能增大多晶硅晶畴尺寸并改善晶畴尺寸的均一性，进而提高多晶硅的迁移率的大小和均匀性。

上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。

附图说明

图1所示为本发明多晶硅薄膜的制作方法的层结构示意图；