[发明专利]存储装置

权利要求书

1.一种存储装置，其特征在于具备：

第1字线群，包含多条字线，所述多条字线具有平行于第1方向及与所述第1方向正交的第2方向的平板形状，且在与所述第1方向及所述第2方向正交的第3方向上积层；

多条主位线，包含第1主位线，且在所述第2方向上伸长；

多个晶体管，包含第1晶体管及第2晶体管，所述第1晶体管及所述第2晶体管的每一个的所述第1方向的通道宽度宽于所述第1主位线的所述第1方向的宽度，且至少一部分设置在所述第1字线群的所述多条字线与所述多条主位线之间；

第1副位线群，包含多条副位线，所述多条副位线包含第1副位线及第2副位线，所述第1副位线与所述第1主位线之间隔着所述第1晶体管而电连接，所述第2副位线与所述第1主位线之间隔着所述第2晶体管而电连接，且与所述第1副位线相邻，假想地连结所述第1副位线与所述第2副位线的线段与所述第2方向交叉，所述多条副位线在所述第3方向上伸长，与所述第1字线群的所述多条字线交叉，并且分别以中间隔着所述多个晶体管中的任一个的方式与所述多条主位线中的任一条电连接；以及

电阻变化层，设置在所述第1字线群的所述多条字线的每一条与所述第1副位线群的所述多条副位线的每一条之间。

2.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于：所述第1晶体管及所述第2晶体管的每一个的所述第1方向的通道宽度为所述第1主位线的所述第1方向的宽度的1.2倍以上。

3.根据权利要求1或2所述的存储装置，其特征在于：所述线段与所述第2方向之间的角度为15度以上。

4.根据权利要求1或2所述的存储装置，其特征在于还具备：第2字线群，包含多条字线，且在所述第2方向上与所述第1字线群隔开，所述多条字线具有平行于所述第1方向及所述第2方向的平板形状，且在所述第3方向上积层；以及

第2副位线群，包含多条副位线，所述多条副位线在所述第3方向上伸长，与所述第2字线群的所述多条字线交叉，且分别以中间隔着所述多个晶体管中的任一个的方式与所述多条主位线中的任一条电连接；

所述多个晶体管具有第1晶体管群、第2晶体管群及位于所述第1晶体管群与所述第2晶体管群之间的第3晶体管群，

所述第1晶体管群中所包含的多个晶体管与所述第1副位线群的所述多条副位线电连接，所述第2晶体管群中所包含的多个晶体管与所述第2副位线群的所述多条副位线电连接，所述第3晶体管群中所包含的多个晶体管不与所述第1副位线群的所述多条副位线及所述第2副位线群的所述多条副位线中的任一条连接，

所述第1晶体管群、所述第2晶体管群及所述第3晶体管群中所包含的多个晶体管的所述第1方向的配置间距相同，所述第1晶体管群、所述第2晶体管群及所述第3晶体管群中所包含的多个晶体管的所述第2方向的配置间距相同。

5.一种存储装置，其特征在于具备：多条字线，具有平行于第1方向及与所述第1方向正交的第2方向的平板形状，且在与所述第1方向及所述第2方向正交的第3方向上积层；

第1主位线，在所述第2方向上伸长；

第2主位线，与所述第1主位线在所述第1方向上相邻，且在所述第2方向上伸长；

第2副位线，在所述第3方向上伸长，与所述第1主位线电连接；

第3副位线，在所述第3方向上伸长，在所述第1方向上与所述第2副位线相邻，且与所述第2主位线电连接；

第1副位线，在所述第3方向上伸长，在所述第1方向上位于所述第2副位线与所述第3副位线之间，在所述第2方向上设置在与所述第2副位线及所述第3副位线不同的位置，且与所述第1主位线电连接；

第1晶体管，设置在所述第1主位线与所述第1副位线之间，所述第1方向的通道宽度宽于所述第1主位线的所述第1方向的宽度；

第2晶体管，设置在所述第1主位线与所述第2副位线之间，所述第1方向的通道宽度宽于所述第1主位线的所述第1方向的宽度；

第3晶体管，设置在所述第2主位线与所述第3副位线之间，所述第1方向的通道宽度宽于所述第2主位线的所述第1方向的宽度；

第1电阻变化层，设置在所述字线与所述第1副位线之间；

第2电阻变化层，设置在所述字线与所述第2副位线之间；以及

第3电阻变化层，设置在所述字线与所述第3副位线之间。