[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其具备：

基体；

绝缘板，其配置于所述基体的表面之上；

导体层，其形成于所述绝缘板的表面；

半导体元件，其与所述导体层连接；以及

外周壳体，其配置为将所述基体的外周包围，

在所述外周壳体形成多个凹部，

所述多个凹部包含上端开口部，该上端开口部是在所述外周壳体处在与所述基体侧相反侧的上端面开设的，

在所述外周壳体的内周面形成内周侧开口部，该内周侧开口部与所述上端开口部相连，从所述上端面侧向所述基体侧延伸并且与所述凹部相连，

在所述外周壳体的周向，所述内周侧开口部的宽度比所述凹部的宽度窄，

该半导体装置具备端子构件和树脂层，

该端子构件包含：第1插入部，其插入至所述多个凹部中的第1凹部；第1外侧端子部，其与所述第1插入部相连且经由所述第1凹部的所述上端开口部延伸至所述外周壳体的外侧；以及第1连接端子部，其与所述第1插入部相连，经由所述内周侧开口部延伸至所述导体层之上并且与所述导体层连接，

该树脂层在被所述绝缘板和所述外周壳体包围的区域至少将所述半导体元件和所述第1连接端子部封装，

所述端子构件在所述第1插入部和所述第1连接端子部的边界部包含切口部，

所述切口部具有：锥形部分，随着从所述第1连接端子部靠近所述内周侧开口部，该锥形部分从比所述内周侧开口部的宽度宽变得比所述内周侧开口部的宽度窄；以及窄幅部分，其设置于所述锥形部分和所述第1插入部之间，比所述内周侧开口部的宽度窄，

所述第1连接端子部是使用焊料与所述导体层连接的。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述基体和所述绝缘板成为一体。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

所述多个凹部包含与所述第1凹部相邻的第2凹部，

所述端子构件包含：第2插入部，其插入至所述第2凹部；以及第2外侧端子部，其与所述第2插入部相连且经由所述第2凹部的所述上端开口部延伸至所述外周壳体的外侧，

所述第1连接端子部构成为延伸至与所述第2插入部相邻的位置并且与所述第2插入部相连。

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

所述第1连接端子部包含相对于所述导体层的表面倾斜的倾斜部。

5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，

所述第1连接端子部包含相对于所述导体层的表面倾斜的倾斜部。

6.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

所述第1外侧端子部包含弹性变形部，该弹性变形部使所述第1外侧端子部的延伸方向上的长度可变。

7.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，

所述第1外侧端子部包含弹性变形部，该弹性变形部使所述第1外侧端子部的延伸方向上的长度可变。

8.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

所述第1连接端子部经由超声波接合部与所述导体层连接。

9.一种半导体装置的制造方法，其具备下述工序：

准备层叠体的工序，该层叠体包含基体、绝缘板、导体层、以及半导体元件，该绝缘板配置于所述基体的表面之上，该导体层形成在所述绝缘板的表面，该半导体元件与所述导体层连接；以及

以将所述基体的外周包围的方式将外周壳体与所述层叠体连接的工序，

在所述外周壳体形成多个凹部，

所述多个凹部包含上端开口部，该上端开口部是在所述外周壳体处在与所述基体侧相反侧的上端面开设的，

在所述外周壳体的内周面形成内周侧开口部，该内周侧开口部与所述上端开口部相连，从所述上端面侧向所述基体侧延伸并且与所述凹部相连，

在所述外周壳体的周向，所述内周侧开口部的宽度比所述凹部的宽度窄，

该半导体装置的制造方法具备从所述上端开口部将端子构件插入至所述多个凹部中的第1凹部的工序，

所述端子构件包含：第1插入部，其插入至所述第1凹部；第1外侧端子部，其与所述第1插入部相连且经由所述第1凹部的所述上端开口部延伸至所述外周壳体的外侧；以及第1连接端子部，其与所述第1插入部相连且经由所述内周侧开口部延伸至所述导体层之上，

并且，所述端子构件在所述第1插入部和所述第1连接端子部的边界部包含切口部，

所述切口部具有：锥形部分，随着从所述第1连接端子部靠近所述内周侧开口部，该锥形部分从比所述内周侧开口部的宽度宽变得比所述内周侧开口部的宽度窄；以及窄幅部分，其设置于所述锥形部分和所述第1插入部之间，比所述内周侧开口部的宽度窄，

该半导体装置的制造方法具备：

将所述第1连接端子部与所述导体层连接的工序；以及

形成树脂层的工序，该树脂层在被所述绝缘板和所述外周壳体包围的区域至少将所述半导体元件和所述第1连接端子部封装。