[发明专利]半导体装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201810053857.8 申请日: 2018-01-19
公开(公告)号: CN108336057B 公开(公告)日: 2022-01-28
发明(设计)人: 永水隼人;森琢郎;大坪义贵 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L23/055;H01L21/52
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 何立波;张天舒
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【说明书】:

就半导体装置而言,在外周壳体(5)形成多个作为凹部的引导部分(5a)。多个引导部分(5a)包含上端开口部(5b)。在外周壳体(5)的内周面形成内周侧开口部(5c),该内周侧开口部(5c)与上端开口部(5b)相连,从上端面侧向基座板(4)侧延伸并且与引导部分(5a)相连。第1插入部(16a)插入至多个引导部分(5a)中的第1引导部分(5a)。第1外侧端子部(16b)与第1插入部(16a)相连且经由第1引导部分(5a)的上端开口部(5b)延伸至外周壳体(5)的外侧。第1连接端子部(16c)与第1插入部(16a)相连且经由内周侧开口部(5c)与导电图案(1)连接。

技术领域

发明涉及半导体装置及其制造方法,更特定地说,涉及在壳体的内部配置有半导体元件的半导体装置及其制造方法。

背景技术

当前,已知通过壳体将搭载有半导体元件的绝缘电路基板的外周包围的构造的半导体装置(例如,参照日本特开2008-252055号公报、日本特开2009-21286号公报、日本特开2013-171870号公报)。

在日本特开2008-252055号公报中使用了如下构造,即,通过键合线等导电材料将搭载有半导体元件的基板与连接端子之间连接,其中,该连接端子用于与外部连接。就该构造而言,在将来自半导体元件的热量从连接端子向外部散热的情况下,其散热性依赖于导电材料的散热性能。因此,会想到由于导电材料的散热性能,使得散热性不能够充分满足市场要求的情况。另外,在连接导电材料时通常使用由超声波振动实现的连接。在该情况下,由于需要将连接端子牢固地固定于壳体,为了固定连接端子需要涂敷粘接材料、嵌入用于将端子固定的固定盖的工序,因此存在构件、工序增加的缺点。另外,会想到对于壳体的材质也存在限制。即,在刚性高的壳体材料的情况下,存在由于固定端子时的压入等、由于端子弯曲、壳体缺损等导致半导体装置的可靠性降低的风险。

关于日本特开2009-21286号公报,在将端子固定于壳体时,由于是使壳体局部地弹性变形而将端子固定于壳体的规定的凹部,因此壳体材料需要使用弹性体。因此,在日本特开2009-21286号公报所公开的半导体装置中,存在产生下述问题的风险,即,壳体的材料选择性差,其结果,半导体装置高成本化、可靠性降低。

关于日本特开2013-171870号公报,由于对端子进行固定的工序包含将端子折弯的工序,其结果,存在如下缺点,即,会增加半导体装置的制造工序数。另外,由于在将端子折弯时对该端子施加外力,因此存在该外力对端子的健全性造成影响、进一步对半导体装置的可靠性造成影响的风险。另外,在日本特开2013-171870号公报中,没有考虑到将端子的位置灵活地变更。

发明内容

本发明就是为了解决上述那样的课题而提出的,本发明的目的在于提供具有良好的散热性,设计的自由度高且低成本的半导体装置及其制造方法。

本公开所涉及的半导体装置具备:基体、绝缘板、导体层、半导体元件、外周壳体、端子构件、以及树脂层。绝缘板配置于基体的表面之上。导体层形成在绝缘板的表面。半导体元件与导体层连接。外周壳体配置为将基体的外周包围。在外周壳体形成多个凹部。多个凹部包含上端开口部,该上端开口部是在外周壳体处在与基体侧相反侧的上端面开设的。在外周壳体的内周面形成内周侧开口部,该内周侧开口部与上端开口部相连,从上端面侧向基体侧延伸并且与凹部相连。在外周壳体的周向,内周侧开口部的宽度比凹部的宽度窄。端子构件包含第1插入部、第1外侧端子部、以及第1连接端子部。第1插入部插入至多个凹部中的第1凹部。第1外侧端子部与第1插入部相连且经由第1凹部的上端开口部延伸至外周壳体的外侧。第1连接端子部与第1插入部相连且经由内周侧开口部延伸至导体层之上并且与导体层连接。树脂层在被绝缘板和外周壳体包围的区域至少将半导体元件和第1连接端子部封装。

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