[发明专利]缺陷修补方法、显示面板在审
申请号: | 201810054284.0 | 申请日: | 2018-01-19 |
公开(公告)号: | CN108231669A | 公开(公告)日: | 2018-06-29 |
发明(设计)人: | 彭英;李俊峰 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L27/12 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 智云 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 修补 交叉区域 显示面板 跳线 缺陷修补 切割 上层结构层 导电性能 电性连接 短路 跨层 预留 | ||
1.一种缺陷修补方法,其特征在于,包括:
提供一基底,在所述基底上形成有第一导线和第二导线,所述第二导线位于所述第一导线上方的结构层中,且所述第一导线和所述第二导线在所述基底上的投影相互交叉而具备一交叉区域,在所述第二导线对应所述交叉区域的两侧上分别设置有与所述第二导线连接的修补跳线;
当所述交叉区域中存在有缺陷时,切断所述第二导线中在所述交叉区域和所述修补跳线之间的部分,并电性连接分别位于所述交叉区域两侧的所述修补跳线。
2.如权利要求1所述的缺陷修补方法,其特征在于,位于所述交叉区域两侧的所述修补跳线通过一连接线实现电性连接,所述连接线通过化学气相沉积修复形成。
3.如权利要求2所述的缺陷修补方法,其特征在于,所述修补跳线的宽度尺寸和所述第二导线的宽度尺寸的绝对差值小于等于1μm,以及所述连接线的宽度尺寸和所述第二导线的宽度尺寸的绝对差值小于等于1μm。
4.如权利要求1所述的缺陷修补方法,其特征在于,利用激光切割工艺切断所述第二导线中位于所述交叉区域和所述修补跳线之间的部分。
5.如权利要求1所述的缺陷修补方法,其特征在于,在所述第一导线和所述第二导线之间还形成有一隔离层。
6.如权利要求1所述的缺陷修补方法,其特征在于,所述第二导线和所述修补跳线的形成方法包括:
在所述基底上沉积一导电材料层,并在所述导电材料层上形成一图形化的掩膜层,所述掩膜层中对应有所述第二导线的图形和所述修补跳线的图形;
以所述掩膜层为掩膜刻蚀所述导电材料层,以在同一结构层中同时形成所述第二导线和所述修补跳线。
7.一种显示面板,其特征在于,包括:
基底,在所述基底上形成有第一导线和第二导线,所述第二导线位于所述第一导线上方的结构层中,且所述第一导线和所述第二导线在所述基底上的投影相互交叉而具备一交叉区域,在所述第二导线对应所述交叉区域的两侧上分别设置有与所述第二导线电性连接的修补跳线;
当所述交叉区域中存在有缺陷时,所述第二导线在所述交叉区域和所述修补跳线之间的部分中形成有一分隔开口,并且位于所述交叉区域两侧的所述修补跳线电性连接。
8.如权利要求7所述的显示面板,其特征在于,还包括一连接线,所述连接线的两端分别连接所述交叉区域两侧的所述修补跳线。
9.如权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述第二导线和所述修补跳线形成在同一结构层中,并且所述修补跳线直接连接至所述第二导线。
10.如权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述第一导线和所述第二导线分别为扫描线和数据线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造