[发明专利]具有改善的电力输送的嵌入式多管芯互连桥

说明书

提供了具有多个集成电路管芯的集成电路封装。多芯片封装可以包括使用所述多芯片封装的基底中的嵌入式多管芯互连桥(EMIB)进行通信的至少两个集成电路管芯。EMIB可以接收形成在所述EMIB的背面的耦合到在其上安装所述EMIB的背面导体的接触焊盘处的功率。所述背面导体可以被分成多个区域，所述多个区域彼此电隔离并且均接收来自印刷电路板的不同电源电压信号或数据信号。这些电源电压信号和数据信号可以通过形成在所述EMIB中的内部微过孔或穿硅过孔被提供到所述两个集成电路管芯。

技术领域

本公开总体上涉及集成电路封装，并且更具体而言，涉及具有连接多于一个集成电路管芯的嵌入式多管芯互连桥(EMIB)的集成电路封装。

背景技术

集成电路封装通常包括集成电路管芯和在上面安装管芯的基底。管芯可以通过接合线或者焊接凸点耦合至基底。因而，来自集成电路管芯的信号可以通过接合线或者焊接凸点传输至基底。

随着对集成电路技术的需求不断地超越持续降低的器件尺寸所能够给予的增益，越来越多的应用需要集成度已经超过了在单个硅管芯中可能达到的集成度的封装解决方案。在为了满足这种需求的尝试中，可以将多于一个管芯置于单个集成电路封装(即，多芯片封装)内。由于不同类型的器件迎合不同类型的应用的需求，因而在一些系统中可能需要更多的管芯来满足高性能应用的需要。相应地，为了获得更高的性能和更高的密度，集成电路封装可以包括沿同一平面横向布置的多个管芯。

EMIB是有时被嵌入到多芯片封装的基底中的小硅管芯，并且用于对该多芯片封装内的集成电路管芯进行互连。传统上，这些EMIB与其它内插器技术(例如，硅内插器)相比具有有限的电力输送能力。

在该语境下，出现了文中描述的实施例。

发明内容

一种集成电路封装可以包括封装基底以及安装在所述封装基底上的一个或多个集成电路管芯。所述封装基底可以包括嵌入所述封装基底内的嵌入式多管芯互连桥(EMIB)。EMIB是可以用于将多芯片封装中的两个集成电路互连的硅管芯。安装在所述封装基底上的集成电路管芯可以通过所述EMIB相互通信。所述EMIB可以具有面对所述集成电路管芯的正面以及与所述正面相对的背面。所述封装基底可以包括从所述EMIB的背面电耦合至所述EMIB并向所述EMIB供应电力的导电路径。所述封装基底可以被安装在印刷电路板上，所述印刷电路板通过所述导电路径向所述EMIB提供电力。

所述封装基底还可以包括在上面安装所述EMIB的导电层(例如，背面导体)。所述导电路径可以连接至所述导电层，并且可以通过所述导电层向所述EMIB提供电力。在将EMIB安装到所述导电层上之前可以将图案化的粘合层施加到所述导电层上，并且所述图案化的粘合层可以包括容纳形成于所述EMIB的背面的导电焊盘(例如，接触焊盘)的开口。换言之，一旦EMIB被安装到所述导电层上，那么所述图案化的粘合层就可以横向围绕形成于所述EMIB的背面的导电焊盘。可以在所述EMIB的正面形成附加接触焊盘。

所述封装基底可以包括直接连接至形成于所述EMIB的正面的接触焊盘的第一过孔，并且可以包括通过所述导电层耦合至形成于所述EMIB的背面的接触焊盘的第二过孔。所述第二过孔可以具有大于所述第一过孔的直径的直径。

所述EMIB可以包括耦合至集成电路管芯的导电布线迹线(例如，互连)。形成于所述EMIB中的微过孔可以耦合在形成于所述EMIB的背面的导电焊盘的其中之一与所述导电布线迹线之间。电源电压信号或数据信号可以通过所述微过孔被提供到所述导电布线迹线。

所述EMIB可以包括从所述EMIB的背面延伸至所述EMIB的正面的多个穿硅过孔。这些穿硅过孔可以用于通过所述EMIB将电源信号或者数据信号从所述导电路径传送至所述集成电路管芯。

所述导电层可以包括相互电隔离的多个导电区域。所述导电层的每个区域可以接收与所述导电层的每个其它区域不同的电源电压信号或数据信号。