[发明专利]半导体集成电路装置

权利要求书

1.一种半导体集成电路装置，其特征在于，具备：

2个以上的第一导电型的第一半导体区，其以相互分离的方式设置于半导体基板的正面的表面层；

第二导电型的第二半导体区，其设置于所述第一半导体区的内部，并从所述半导体基板的正面起沿深度方向贯穿所述第一半导体区；

第一导电型的第三半导体区，其以与所述第二半导体区分离的方式设置于所述第一半导体区的内部，且固定在比所述第二半导体区的电位高的电位；以及

高电位侧电路，其配置于比所述第三半导体区靠近所述第一半导体区的中央部侧的位置，

其中，在相邻的所述第一半导体区中的一个所述第一半导体区的所述高电位侧电路与另一个所述第一半导体区的所述高电位侧电路之间，配置于一个所述第一半导体区的所述第三半导体区隔着配置于另一个所述第一半导体区的所述第三半导体区，且在与该第三半导体区之间不介有所述第二半导体区地与另一个所述第一半导体区的所述高电位侧电路对置。

2.根据权利要求1所述的半导体集成电路装置，其特征在于，在相邻的所述第一半导体区中的一个所述第一半导体区的所述高电位侧电路与另一个所述第一半导体区的所述高电位侧电路之间，配置于一个所述第一半导体区的所述第二半导体区隔着配置于另一个所述第一半导体区的所述第二半导体区，且在与该第二半导体区之间不介有所述第三半导体区地与另一个所述第一半导体区的所述高电位侧电路对置。

3.根据权利要求1所述的半导体集成电路装置，其特征在于，所述第一半导体区形成为矩形的平面形状，

沿着至少一组相邻的所述第一半导体区的对置的整个边不配置所述第二半导体区而配置所述第三半导体区。

4.根据权利要求3所述的半导体集成电路装置，其特征在于，沿着其他相邻的所述第一半导体区的对置的整个边配置所述第二半导体区，并在对置的该第二半导体区之间不配置所述第三半导体区。

5.根据权利要求1所述的半导体集成电路装置，其特征在于，所述半导体集成电路装置还具备：

第一导电型的第四半导体区，其设置于所述半导体基板的正面的表面层；以及

低电位侧电路，其配置于所述第四半导体区，且以比所述高电位侧电路低的基准电压进行动作，

其中，在所述第一半导体区的配置有所述第三半导体区的部分以外的部分，所述第四半导体区与所述第一半导体区的外周对置。

6.根据权利要求2所述的半导体集成电路装置，其特征在于，所述半导体集成电路装置还具备：

第一导电型的第四半导体区，其设置于所述半导体基板的正面的表面层；以及

低电位侧电路，其配置于所述第四半导体区，且以比所述高电位侧电路低的基准电压进行动作，

其中，在配置有所述第三半导体区的部分以外的部分，所述第四半导体区配置于外周彼此对置的相邻的所述第一半导体区之间。

7.根据权利要求1所述的半导体集成电路装置，其特征在于，所述第一半导体区包括第一个第一半导体区和第二个第一半导体区，所述第一个第一半导体区形成有所述高电位侧电路，所述第二个第一半导体区与所述第一个第一半导体区接触，包围所述第一个第一半导体区的周围，且杂质浓度比所述第一个第一半导体区的杂质浓度低。