[发明专利]一种低温等离子体处理匍匐茎刺激假俭草快速生长的方法在审
| 申请号： | 201810059603.7 | 申请日： | 2018-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN108551912A | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | 李玲;刘建秀;宗俊勤;郭海林;陈静波;李建建;李丹丹;汪毅;郭爱桂 | 申请（专利权）人： | 江苏省中国科学院植物研究所 |
| 主分类号： | A01G7/06 | 分类号： | A01G7/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210014 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 匍匐茎 低温等离子体处理 浸泡 快速生长 地下部 干重 清水 低温等离子处理 低温等离子体 预处理 压强 介质阻挡 面积增加 有效促进 直径增加 叶片数 刺激 花盆 氦气 极板 生长 | ||
【权利要求书】：
1.一种低温等离子体预处理匍匐茎刺激假俭草快速生长的方法，包括如下步骤：
（1）选取假俭草匍匐茎在30～35℃清水中浸泡18 h；
（2）用介质阻挡氦气低温等离子体处理匍匐茎，处理条件为：处理功率为150~450 W，处理时间为10~20 s，极板间距为2 cm，压强为50~150 Pa，频率为13.56 kHz；
（3）将低温等离子体处理的匍匐茎在30℃清水中浸泡18~24 h;
（4）将浸泡后的匍匐茎栽植到花盆中, 置于25~35℃光照下培养。
2.根据权利要求1所述的低温等离子体预处理匍匐茎刺激假俭草快速生长的方法，其特征在于，步骤（2）所述的低温等离子体处理优选功率为300 W，处理优选时间为15 s。
3.根据权利要求1所述的低温等离子体预处理匍匐茎促进假俭草快速生长的方法，其特征在于，步骤（3）所述的浸泡时间优选为20 h。
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