[发明专利]一种低温等离子体处理匍匐茎刺激假俭草快速生长的方法

说明书

本发明涉及一种低温等离子体预处理匍匐茎刺激假俭草快速生长的方法，包括如下步骤：（1）将假俭草匍匐茎在30~35℃清水中浸泡18 h；（2）用介质阻挡氦气低温等离子体处理匍匐茎，处理条件：处理强度150~450 W，处理时间10~20 s，极板间距2 cm，压强150 Pa，频率13.56 kHz；（3）处理后将匍匐茎在30℃清水中浸泡18~24 h；（4）浸泡后的匍匐茎栽到花盆中培养。低温等离子处理假俭草匍匐茎可使其地下部干重、根冠比、总根长、根体积、根表面积和平均根直径增加12~41%、8~20%、18~33%、30~62%、33~64%和7~31%，使地上部干重、节间长度（倒四节）、叶片数和叶面积增加7~19%、20~61%、7~22%和21~36%。本发明提供的新方法操作简便、成本低、见效快、无污染，可以有效促进假俭草匍匐茎地下部和地上部生长。

技术领域

本发明涉及一种低温等离子体预处理匍匐茎刺激假俭草快速生长的方法，属于草坪草栽培领域。

背景技术

假俭草(Eremochloa ophiuroides(Munro.)Hack.)是禾本科蜈蚣草属多年生宿根性植物，世界三大暖季型草坪草之一，广泛分布于我国长江流域及以南地区。具有叶形优美、绿期长、耐瘠薄、病虫害少、养护水平低等优点，因此被誉为“中国最好的暖季型草坪草”。假俭草广泛用于庭院草坪、休憩草坪及护坡草坪的建植，尤其适合水土保持和大面积的景观建设。此外，假俭草也是很好的牧草。

生产上假俭草通常用营养体繁殖方法来繁殖和建植草坪。但是假俭草匍匐茎尤其是根系普遍存在生长缓慢的问题，造成早期草坪草生长发育迟缓，明显降低了成坪速度，从而耗费大量的人力和财力，明显增加了假俭草建植的成本。然而目前促进假俭草匍匐茎生长的方法主要是化学试剂浸泡法，虽然能够一定程度上促进假俭草生长，但是存在种类多、浓度范围广、成本高、污染环境等问题，很难规模化用于生产。因此，有必要探索一种快速、简单、低成本、安全的技术，以适应实际生产的需要。

低温等离子体处理技术是促使农作物显著增产的现代农业高新技术。低温等离子体技术广泛用于化工、医药、环保等领域，在农业上应用尚属新的研究领域。低温等离子体处理对象都是种子，然而截至目前未见该技术处理营养体材料(如匍匐茎)的研究报道，也未见对草坪草(包括假俭草)生长效果的研究报道。

发明内容

本发明的目的在于针对假俭草生长缓慢的问题，提供了一种经济适用且安全有效的刺激假俭草匍匐茎快速生长的方法，包括以下步骤：

(1)选择长度3～4cm，包含两个节和两片叶的假俭草匍匐茎置于30～35℃清水中浸泡18 h。

(2)将步骤(1)中的匍匐茎晾干后用介质阻挡氦气低温等离子体处理，处理条件为：处理功率为150～450W，处理时间为10～20s，极板间距为2cm，压强为50～150Pa，频率为13.56kHz；

优选的所述步骤(2)中的低温等离子体处理功率为300W，处理时间为15s。

(3)将步骤(2)得到的假俭草匍匐茎置于30℃的清水中浸泡18～24h。

优选的所述步骤(3)中浸泡时间为20h。

(4)步骤(3)得到的假俭草匍匐茎栽植花盆中，置于25～35℃光照下培养。

本发明与现有技术相比，具有如下优点和效果：

本发明将低温等离子体应用于促进假俭草营养体(匍匐茎)生长中，该方法成本低、简便易行、安全环保，可以有效促进假俭草地下部和地上部生长，使地下部干重、根冠比、总根长、根体积、根表面积和平均根直径分别增加12～41％、8～20％、18～33％、30～62％、 33～64％和7～31％，使地上部干重、节间长度(倒四节)、叶片数和叶面积分别增加7～19％、20～61％、7～22％和21～36％。

附图说明