[发明专利]封装结构及其制备方法

权利要求书

1.一种封装结构，其特征在于，所述封装结构包括堆叠式转接板，所述堆叠式转接板包括：

第一转接板，包括至少两层相互堆叠的第一导通层，每层所述第一导通层内设置有若干第一导通结构，相邻的所述第一导通层之间通过第一导通结构电性导通以使所述第一转接板的顶面与底面电性导通；

第二转接板，包括至少两层相互堆叠的第二导通层，每层所述第二导通层内设置有至少两个第二导通结构，相邻的所述第二导通层之间通过第二导通结构电性导通以使所述第二转接板的顶面与底面电性导通；

3D金属连接部，设于所述第二转接板上；

连接线路，铺设于所述堆叠式转接板的顶面，与所述第一转接板电性导通，并通过所述3D金属连接部与所述第二转接板电性导通；

所述第一转接板和所述第二转接板分别为单独制造的独立结构件，所述第一转接板与第二转接板相堆叠，通过所述第一导通结构和第二导通结构电性连接以使所述堆叠式转接板的顶面和底面电性导通，其中，所述第一导通结构的分布密度大于第二导通结构的分布密度，且所述第一导通结构的单位体积小于所述第二导通结构的单位体积；

每层所述第一导通层包括填充于第一导通结构之间的第一介电层，每层第二导通层包括填充于第二导通结构之间的第二介电层；其中，至少一层所述第一导通层内的第一介电层的介电材料与至少一层所述第二导通层内的第二介电层的介电材料不同；

所述封装结构还包括芯片和被动元件，所述芯片和被动元件通过所述连接线路连接于所述堆叠式转接板的顶面，所述封装结构还包括第一塑封料及第二塑封料，所述第一塑封料用于塑封所述堆叠式转接板，所述第二塑封料用于塑封所述芯片和被动元件与所述堆叠式转接板。

2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构包括设置于所述堆叠式转接板的底面的电性连接端，所述连接线路与电性连接端之间通过所述第一转接板和第二转接板电性导通。

3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述芯片和被动元件通过电性连接端连接于所述堆叠式转接板的底面。

4.一种封装结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供第一承载基板；

在所述第一承载基板上堆叠至少两层第一导通层以形成第一转接板，每层第一导通层内设置若干第一导通结构，每层所述第一导通层之间填充介电材料形成第一介电层；

提供第二承载基板；

在所述第二承载基板上堆叠至少两层第二导通层以形成第二转接板，每层第二导通层内设置若干第二导通结构，每层第二导通层之间填充介电材料形成第二介电层，第一导通结构的分布密度大于第二导通结构的分布密度，第一导通结构的单位体积小于第二导通结构的单位体积，至少一层所述第一介电层的介电材料与至少一层所述第二介电层的介电材料不同；

将所述第一转接板与第二转接板相堆叠以形成堆叠式转接板；

使用第一塑封料对堆叠式转接板进行塑封；

去除第一承载基板以露出与所述第一承载基板相对应的第一导通层，并使该层的第一导通结构露出形成第一露出面；

在所述第一露出面铺设连接线路或植入电性连接端；

将芯片和被动元件与所述第一露出面、连接线路或电性连接端进行键合连接，并使用第二塑封料对芯片和被动元件与所述堆叠式转接板进行塑封；

去除第二承载基板以露出与所述第二承载基板相对应的第二导通层，并使该层的第二导通结构露出形成第二露出面；

在所述第二露出面植入电性连接端或铺设连接线路。

5.根据权利要求4所述的封装结构的制备方法，其特征在于，所述步骤“在所述第一承载基板上堆叠至少两层第一导通层以形成第一转接板”具体包括：

在所述第一承载基板上沉积分离层；

在分离层上沉积籽晶层；

在籽晶层上成型光刻胶层并形成电镀空腔；

在所述电镀空腔内电镀有第一导通结构；

去除光刻胶层和籽晶层并在所述第一导通结构之间填充第一介电层以形成所述第一导通层；

将至少两层所述第一导通层相堆叠以形成第一转接板，并在远离所述第一承载基板的最外层的第一导通层上制备与第一导通结构电性导通的金属对接部。