[发明专利]封装结构及其制备方法

说明书

本发明提出了一种封装结构，包括堆叠式转接板，堆叠式转接板包括：第一转接板，包括至少两层相互堆叠的第一导通层，每层第一导通层内设置有若干第一导通结构，相邻的第一导通层之间通过第一导通结构电性导通以使第一转接板的顶面与底面电性导通；第二转接板，包括至少两层相互堆叠的第二导通层，每层第二导通层内设置有至少两个第二导通结构，相邻的第二导通层之间通过第二导通结构电性导通以使第二转接板的顶面与底面电性导通；第一转接板与第二转接板相堆叠，以使堆叠式转接板的顶面和底面电性导通，其中，第一导通结构和第二导通结构的分布密度、单位体积不同，且第一导通层至少和一第二导通层的介电层材料不同。

技术领域

本发明属于半导体制造领域，尤其涉及一种封装结构及其制备方法。

背景技术

现有的封装结构内的转接板通常使用硅穿孔的方式进行设计，但是硅穿孔的工艺成本较高，且通过硅穿孔工艺制备的转接板的强度较差，在与其他载体结合时会因为热膨胀系数的不同而引起形变，导致结合能力不好；同时，用同一介质制作的转接板柔性较差，无法满足当今生产工艺中对柔性的要求。

发明内容

为了解决上述问题，本发明提出了一种封装结构，所述封装结构包括堆叠式转接板，所述堆叠式转接板包括：

第一转接板，包括至少两层相互堆叠的第一导通层，每层所述第一导通层内设置有若干第一导通结构，相邻的所述第一导通层之间通过第一导通结构电性导通以使所述第一转接板的顶面与底面电性导通；

第二转接板，包括至少两层相互堆叠的第二导通层，每层所述第二导通层内设置有至少两个第二导通结构，相邻的所述第二导通层之间通过第二导通结构电性导通以使所述第二转接板的顶面与底面电性导通；

所述第一转接板与第二转接板相堆叠，通过所述第一导通结构和第二导通结构电信连接以使所述堆叠式转接板的顶面和底面电性导通，其中，所述第一导通结构的分布密度大于第二导通结构的分布密度，且所述第一导通结构的单位体积小于所述第二导通结构的单位体积。

作为本发明的进一步改进，每层所述第一导通层包括填充于第一导通结构之间的第一介电层，每层第二导通层包括填充于第二导通结构之间的第二介电层；其中，至少一层所述第一导通层内的第一介电层的介电材料与至少一层所述第二导通层内的第二介电层的介电材料不同。

作为本发明的进一步改进，所述封装结构包括铺设于所述堆叠式转接板的顶面的连接线路，以及设置于所述堆叠式转接板的底面的电性连接端，所述连接线路与电性连接端之间通过所述第一转接板和第二转接板电性导通。

作为本发明的进一步改进，所述第二转接板包括3D金属连接部，所述连接线路与所述第二转接板之间通过所述3D金属连接部电性导通。

作为本发明的进一步改进，所述封装结构还包括芯片和被动元件，所述芯片和被动元件通过所述连接线路连接于所述堆叠式转接板的顶面和/或通过电性连接端连接于所述堆叠式转接板的底面。

本发明还提出了一种封装结构的制备方法，所述制备方法包括：

提供第一承载基板；

在所述第一承载基板上堆叠至少两层第一导通层以形成第一转接板；

提供第二承载基板；

在所述第二承载基板上堆叠至少两层第二导通层以形成第二转接板；

将所述第一转接板与第二转接板相堆叠以形成堆叠式转接板；

使用第一塑封料对堆叠式转接板进行塑封；

去除第一承载基板以露出与所述第一承载基板相对应的第一导通层，并使该层的第一导通结构露出形成第一露出面；

在所述第一露出面铺设连接线路或植入电性连接端；