[发明专利]一种连接器的插针和插孔的剖面制备方法有效

专利信息
申请号: 201810060657.5 申请日: 2018-01-22
公开(公告)号: CN108448365B 公开(公告)日: 2019-06-25
发明(设计)人: 邝栗山;郭金花;刘椿楠 申请(专利权)人: 航天科工防御技术研究试验中心
主分类号: H01R43/16 分类号: H01R43/16
代理公司: 北京风雅颂专利代理有限公司 11403 代理人: 王刚
地址: 100085*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 连接器 插孔 插针 内部腔体 制备 多次抛光 树脂膜层 磨削 预处理 插孔表面 抛光处理 填充处理 中心剖面 轴线方向 逐渐减小 颗粒度 抛光件 插接 对插 填充 平行 暴露
【权利要求书】:

1.一种连接器的插针和插孔的剖面制备方法,其特征在于,包括:

提供连接器,所述连接器包括具插孔的连接器、具插针的连接器以及具有插接的插针和插孔的连接器,所述插针和插孔分别具有内部腔体;

对所述连接器进行预处理,在所述插针和插孔表面分别形成树脂膜层;

对所述表面具有树脂膜层的插针和插孔进行剖面制备处理,包括:对所述表面具有树脂膜层的插针和插孔进行第一磨削处理,使所述插针和插孔的内部腔体暴露;对所述插针和插孔的内部腔体进行填充处理,使所述内部腔体满溢;对所述填充后的内部腔体进行第二磨削处理,形成剖面,所述剖面为中心剖面,平行于所述内部腔体的轴线方向,所述第二磨削处理的磨削件的颗粒度大于所述第一磨削处理的磨削件;以及

对具有剖面的插针和插孔进行抛光处理,包括对所述剖面进行多次抛光工艺,所述多次抛光工艺的抛光件的颗粒度逐渐减小。

2.根据权利要求1所述连接器的插针和插孔的剖面制备方法,其特征在于,所述预处理包括热镶嵌处理,镶嵌材料为透明树脂粉体,镶嵌温度为180~190℃,镶嵌时间20~30分钟。

3.根据权利要求1所述的连接器的插针和插孔的剖面制备方法,其特征在于,所述填充处理包括冷镶嵌处理,将配比为1:1~1:2的透明树脂粉和透明树脂混合液注入所述内部腔体,冷却20~40分钟,使腔体内部的镶嵌材料固化成型。

4.根据权利要求3所述的连接器的插针和插孔的剖面制备方法,其特征在于,所述冷却包括两次冷却,所述两次冷却之间还包括除去腔体外溢出的混合液,以保持磨削面的平整,第一冷却时间为10~20min,第二次冷却时间为10~20min。

5.根据权利要求1所述的连接器的插针和插孔的剖面制备方法,其特征在于,所述第一磨削处理包括两次磨削处理,第一次磨削处理用于除去所述树脂膜层,磨削件为500-700目的金刚石砂纸;第二次磨削处理用于除去所述插针和插孔的金属表面,磨削件为1100-1300目的金刚石砂纸。

6.根据权利要求1所述的连接器的插针和插孔的剖面制备方法,其特征在于,所述第二磨削处理的磨削件为颗粒度为2000-3000目的金刚石砂纸。

7.根据权利要求1所述的连接器的插针和插孔的剖面制备方法,其特征在于,所述抛光处理包括四次抛光工艺,所述抛光工艺的抛光件为颗粒度逐渐减小的多个绸布和粒径逐减小的多个氧化铝抛光液组合以及绒布。

8.根据权利要求1所述的连接器的插针和插孔的剖面制备方法,其特征在于,所述抛光处理包括四次抛光工艺,第一次抛光工艺的抛光件为颗粒度为8-10μm的绸布和直径为8-10μm的氧化铝抛光液,抛光时间为80~100s;第二次抛光工艺的抛光件为颗粒度为2~4μm的绸布和直径为2~4μm的氧化铝抛光液,抛光时间为50~80s;第三次抛光工艺的抛光件为颗粒度为0.5~1.5μm的绸布和直径为0.5~1.5μm的氧化铝抛光液,抛光时间为40~60s;第四次抛光工艺的抛光件为筛孔尺寸为180~220目的绒布和自来水,抛光时间为25~35s。

9.根据权利要求1所述的连接器的插针和插孔的剖面制备方法,其特征在于,在所述抛光处理后还包括清洗处理,所述清洗处理包括:将经过抛光处理后的连接器置于酒精内,清洗5~15s。

10.根据权利要求1所述的连接器的插针和插孔的剖面制备方法,其特征在于,所述剖面制备处理中,所述第一磨削处理包括两步磨削处理,每步磨削处理之后采用清洁的自来水冲洗干净。

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