[发明专利]一种用于晶圆外延衬底材料生长的托舟结构有效
申请号: | 201810063388.8 | 申请日: | 2018-01-23 |
公开(公告)号: | CN108321115B | 公开(公告)日: | 2020-09-29 |
发明(设计)人: | 李锐;刘鹏;程天佑;李成明 | 申请(专利权)人: | 东莞市中镓半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 罗晓林;杨桂洋 |
地址: | 523000 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 外延 衬底 材料 生长 结构 | ||
1.一种用于晶圆外延衬底材料生长的托舟结构,包括支撑底座和托舟,其特征在于,所述托舟为具有上表面和下表面的圆环形板,托舟的边缘设有分别与上表面和下表面连接的斜面,托舟设在支撑底座的上表面,上表面、下表面和斜面位于不同的高度上;
所述支撑底座的上表面设有定位凸台,托舟的上表面和下表面分别设有与定位凸台匹配的定位凹槽;所述定位凸台的呈锥形、圆柱形或多边形,定位凹槽的形状与定位凸台的形状一致;
所述支撑底座上部设有支撑托,该支撑托具有主支撑面和倾斜支撑面,主支撑面设在倾斜支撑面上端,定位凸台设在主支撑面上,托舟放置在主支撑面的表面。
2.根据权利要求1所述的用于晶圆外延衬底材料生长的托舟结构,其特征在于,所述主支撑面与倾斜支撑面之间形成的夹角的角度为3-25度。
3.根据权利要求2所述的用于晶圆外延衬底材料生长的托舟结构,其特征在于,所述斜面的倾斜角度与倾斜支撑面的倾斜角度相等。
4.根据权利要求3所述的用于晶圆外延衬底材料生长的托舟结构,其特征在于,所述托舟横截面的面积大于主支撑面的面积。
5.根据权利要求4所述的用于晶圆外延衬底材料生长的托舟结构,其特征在于,所述支撑底座和托舟均采用碳化硅、蓝宝石、石墨或石英材料制成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造