[发明专利]一种用于晶圆外延衬底材料生长的托舟结构

说明书

本发明公开了一种用于晶圆外延衬底材料生长的托舟结构，包括支撑底座和托舟，所述托舟为具有上表面和下表面的圆环形板，托舟的边缘设有分别与上表面和下表面连接的斜面，托舟设在支撑底座的上表面，上表面、下表面和斜面位于不同的高度上，支撑底座的上表面设有定位凸台，托舟的上表面和下表面分别设有与定位凸台匹配的定位凹槽。本发明双面可用，提高了托舟的有效利用次数，减少清洗次数，提高生长效率。

技术领域

本发明涉及一种用于晶圆外延衬底材料生长的托舟。

背景技术

目前商业化的Ⅲ-Ⅴ族半导体外延技术主要包括氢化物气相外延（HVPE）、金属有机物化学气相沉积（MOCVD）等。在气体反应腔内，晶圆置于支撑托舟内，目前所用盛放托舟均为单面使用，即只有一个表面能够用来放置晶圆，需要频繁清洗，有效利用次数较低，由于频繁的清洗，也降低了生长效率。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种用于晶圆外延衬底材料生长的托舟结构，提高了托舟的有效利用次数，减少清洗次数，提高生长效率。

为了解决上述技术问题，本发明采取以下技术方案：

一种用于晶圆外延衬底材料生长的托舟结构，包括支撑底座和托舟，所述托舟为具有上表面和下表面的圆环形板，托舟的边缘设有分别与上表面和下表面连接的斜面，托舟设在支撑底座的上表面，上表面、下表面和斜面位于不同的高度上。

所述支撑底座的上表面设有定位凸台，托舟的上表面和下表面分别设有与定位凸台匹配的定位凹槽。

所述定位凸台的呈锥形、圆柱形或多边形，定位凹槽的形状与定位凸台的形状一致。

所述支撑底座上部设有支撑托，该支撑托具有主支撑面和倾斜支撑面，主支撑面设在倾斜支撑面上端，定位凸台设在主支撑面上，托舟放置在主支撑面的表面。

所述主支撑面与倾斜支撑面之间形成的夹角的角度为3-25度。

所述斜面的倾斜角度与倾斜支撑面的倾斜角度相等。

所述托舟横截面的面积大于主支撑面的面积。

所述支撑底座和托舟均采用碳化硅、蓝宝石、石墨或石英材料制成。

本发明采用两面型结构的托舟，能够有效减少清洗次数，提高有效利用次数，从而提高生长效率。

附图说明

附图1为本发明分解示意图；

附图2为本发明托舟的剖面结构示意图。

具体实施方式

为能进一步了解本发明的特征、技术手段以及所达到的具体目的、功能，下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细描述。

如附图1和2所示，本发明揭示了一种用于晶圆外延衬底材料生长的托舟结构，包括支撑底座1和托舟2，所述托舟2为具有上表面202和下表面204的圆环形板，托舟2的边缘设有分别与上表面202和下表面204连接的斜面203，托舟2设在支撑底座1的上表面，上表面202、下表面204和斜面203位于不同的高度上。托舟的上表面和下表面的结构相同，均可设置有于放置晶圆衬底的槽，实现在托舟的两个表面都进行生长。

所述支撑底座1的上表面设有定位凸台6，托舟2的上表面和下表面分别设有与定位凸台匹配的定位凹槽。通过该定位凸台与定位凹槽的配合，使得托舟稳固地放置在支撑底座的上表面。在本实施例中，设置三个定位凸台，相应的也设置三个定位凹槽，实现稳固的装配。

所述定位凸台的呈锥形、圆柱形或多边形，定位凹槽的形状与定位凸台的形状一致。或者为其他形状，以上列举并非是限定。