[发明专利]晶片卡盘和处理装置有效
申请号: | 201810064105.1 | 申请日: | 2018-01-23 |
公开(公告)号: | CN108346614B | 公开(公告)日: | 2022-12-06 |
发明(设计)人: | W·达斯特尔;H·许特尔;M·卡恩;R·科格勒;J·施泰因布伦纳 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/683 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 林金朝;王英 |
地址: | 德国瑙伊*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 卡盘 处理 装置 | ||
1.一种晶片卡盘,包括:
基板,所述基板包括导电材料,以在所述基板处施加电压以便产生电场;
至少一个支撑区域,所述至少一个支撑区域被配置为在容纳区域中支撑晶片;
所述基板中的中心空腔,所述中心空腔由所述至少一个支撑区域围绕,所述至少一个支撑区域被配置为仅沿着外周边支撑所述晶片,其中所述中心空腔的底表面是弯曲的,并且所述底表面的表面曲率使得在所述晶片被放置在所述晶片卡盘上时所述底表面相对于所述晶片的面向所述晶片卡盘的或背向所述晶片卡盘的表面等距地布置;以及
围绕所述容纳区域的边界结构,所述边界结构被配置为将所述晶片保持在所述容纳区域中。
2.根据权利要求1所述的晶片卡盘,
其中,所述至少一个支撑区域包括支撑表面,所述支撑表面被配置为物理地接触所述晶片的边缘区域的边缘表面区域,所述边缘表面区域面向所述晶片卡盘。
3.根据权利要求1所述的晶片卡盘,
其中,所述边界结构限定要容纳在所述容纳区域中的所述晶片的最大直径,并且其中,所述至少一个支撑区域限定要容纳在所述容纳区域中的所述晶片的最小直径。
4.根据权利要求1所述的晶片卡盘,
其中,所述边界结构、所述中心空腔和所述至少一个支撑区域被同心地布置。
5.根据权利要求2所述的晶片卡盘,
其中,所述中心空腔包括设置在第一水平面处的底表面,所述第一水平面比所述支撑表面的第二水平面低。
6.根据权利要求1所述的晶片卡盘,
其中,所述中心空腔由单个凹陷区域提供。
7.根据权利要求1所述的晶片卡盘,还包括:
从所述晶片卡盘的外周边延伸到所述晶片卡盘中的多个凹口。
8.根据权利要求7所述的晶片卡盘,
其中,所述多个凹口中的每一个凹口被配置为容纳晶片处置器的处置销以将所述晶片降低到所述容纳区域中以及将所述晶片升高到所述容纳区域之外。
9.根据权利要求1所述的晶片卡盘,还包括:
在与所述容纳区域相对的一侧处的安装凸缘,用以将所述晶片卡盘安装在处理工具中。
10.一种处理装置,包括:
处理工具,所述处理工具用于在处理区域处理晶片;
晶片卡盘,所述晶片卡盘用以将晶片定位在所述处理工具中;所述晶片卡盘包括:
基板,所述基板包括导电材料,以在所述基板处施加电压以便产生电场;
至少一个支撑区域,所述至少一个支撑区域被配置为在容纳区域中支撑所述晶片;
所述基板中的中心空腔,所述中心空腔由所述至少一个支撑区域围绕,所述至少一个支撑区域被配置为仅沿着外周边支撑所述晶片,其中所述中心空腔的底表面是弯曲的,并且所述底表面的表面曲率使得在所述晶片被放置在所述晶片卡盘上时所述底表面相对于所述晶片的面向所述晶片卡盘的或背向所述晶片卡盘的表面等距地布置;以及
边界结构,所述边界结构围绕所述容纳区域,并且被配置为将所述晶片保持在所述容纳区域中。
11.根据权利要求10所述的处理装置,
其中,所述处理工具是等离子体处理工具。
12.根据权利要求10所述的处理装置,
其中,所述晶片卡盘被配置为电极。
13.根据权利要求10所述的处理装置,还包括:
晶片处置器,所述晶片处置器用以将所述晶片降低到所述容纳区域中以及将所述晶片升高到所述容纳区域之外。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造