[发明专利]晶片卡盘和处理装置有效
申请号: | 201810064105.1 | 申请日: | 2018-01-23 |
公开(公告)号: | CN108346614B | 公开(公告)日: | 2022-12-06 |
发明(设计)人: | W·达斯特尔;H·许特尔;M·卡恩;R·科格勒;J·施泰因布伦纳 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/683 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 林金朝;王英 |
地址: | 德国瑙伊*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 卡盘 处理 装置 | ||
本发明涉及晶片卡盘和处理装置。根据各种实施例,一种晶片卡盘可以包括至少一个支撑区域,被配置为在容纳区域中支撑晶片;中心空腔,由所述至少一个支撑区域围绕,所述至少一个支撑区域被配置为仅沿着外周边支撑晶片;以及边界结构,围绕所述容纳区域,并且被配置为将晶片保持在所述容纳区域中。
技术领域
各种实施例总体上涉及晶片卡盘和处理装置。
背景技术
一般而言,可以在各种类型的处理工具中处理晶片。因此,晶片可以通过晶片卡盘定位在处理工具中。已经知道了各种类型的晶片卡盘。然而,常规使用的晶片卡盘可以被设计为物理地接触晶片的背面,其中,晶片的主处理表面(也称为正面)背向晶片卡盘。在处理工具中,可以根据需要处理晶片的正面。经由处理工具的处理可以包括等离子体中的处理,其中,晶片卡盘可以被配置为施加用于产生等离子体的偏置电压和/或电压的电极。
发明内容
根据各种实施例,晶片卡盘可以包括:至少一个支撑区域,被配置为在容纳区域中支撑晶片;中心空腔,被所述至少一个支撑区域围绕,所述至少一个支撑区域被配置为仅沿着外周边支撑晶片;以及围绕所述容纳区域的边界结构,被配置为将所述晶片保持在所述容纳区域中。
附图说明
在附图中,在全部的不同视图中,相似的附图标记通常指代相同的部分。附图不一定是按比例绘制的,而是通常将重点放在说明本发明的原理上。在以下描述中,参考以下附图来描述本发明的各种实施例,其中:
图1A和1B以示意性顶视图和相应的横截面图示出了根据各种实施例的晶片卡盘;
图1C以示意性横截面图示出了根据各种实施例的晶片卡盘和放置在晶片卡盘上的晶片;
图1D以示意性横截面图示出了根据各种实施例的晶片卡盘;
图2A和2B分别以示意性顶视图示出了根据各种实施例的晶片卡盘;
图3A和3B以示意性顶视图和相应的横截面图示出了根据各种实施例的晶片卡盘;
图3C以顶视图像示出了根据各种实施例的处理工具中的晶片卡盘;
图4A至图4C以示意性横截面图示出了根据各种实施例的晶片卡盘和放置在晶片卡盘上的晶片;
图5A至5C以示意性横截面图示出了根据各种实施例的晶片卡盘和放置在晶片卡盘上的晶片;
图6示出了根据各种实施例的用于处理晶片的方法的示意性流程图;
图7示出了根据各种实施例的用于处理晶片的处理装置的示意图;以及
图8A和8B以示意性顶视图和相应的横截面图示出了根据各种实施例的将由晶片卡盘支撑的晶片。
具体实施方式
以下具体实施方式参照附图,附图以举例说明的方式示出了可以实践本发明的具体细节和实施例。足够详细地描述了这些实施例以使本领域技术人员能够实践本发明。可以利用其他实施例,并且可以在不脱离本发明的范围的情况下进行结构、逻辑和电气改变。各种实施例不一定是相互排斥的,因为一些实施例可以与一个或多个其他实施例组合以形成新的实施例。结合方法来描述各种实施例,并且结合设备来描述各种实施例。然而,可以理解,结合方法描述的实施例可以类似地应用于设备,反之亦然。
术语“至少一个”和“一个或多个”可以被理解为包括大于或等于1的任何整数,即一个、两个、三个、四个等等。术语“多个”可以被理解为包括大于或等于二的任何整数,即两个、三个、四个、五个等等。
关于一组元素的短语“至少一个”在本文中可以用于表示来自由元素组成的组中的至少一个元素。例如,关于一组元素的短语“至少一个”在本文中可以用于表示选择:列出的元素之一、多个列出的元素之一、多个单独列出的元素、或多个列出的元素中的多个。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技股份有限公司,未经英飞凌科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810064105.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:适用于单片式外延炉的分离式基座组件
- 下一篇:一种沟槽形成方法及半导体器件
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造