[发明专利]发光二极管结构及其制造方法以及微显示器的像素结构

权利要求书

1.一种发光二极管结构，其特征在于，包含：

电路基板，具有顶表面，所述顶表面包含发光区以及外围区，所述外围区环绕所述发光区；

发光元件，设置在位于所述发光区的所述顶表面上；

吸光层，设置在位于所述外围区的所述顶表面上并环绕所述发光元件，且所述吸光层具有第一部分及位于所述第一部分上的第二部分；以及

反射层，覆盖所述电路基板的所述顶表面并延伸至所述吸光层的所述第一部分的侧壁，其中所述第二部分暴露于所述反射层之外。

2.如权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，所述电路基板的所述顶表面包含两个导电垫位于所述发光区，且所述发光元件设置于所述两个导电垫上，其中所述两个导电垫之间间隔一定距离。

3.如权利要求2所述的发光二极管结构，其特征在于，所述反射层在所述两个导电垫之间具有间隙，且所述间隙至少大于所述距离的1/3倍。

4.如权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，所述电路基板的所述顶表面包含保护层位于所述外围区且所述吸光层设置于所述保护层上。

5.如权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，还包含封装层配置在所述发光元件上，且所述封装层的顶表面与所述吸光层的顶表面实质上齐平。

6.如权利要求5所述的发光二极管结构，其特征在于，还包含偏光片配置在所述封装层及所述吸光层上，其中所述偏光片直接接触所述吸光层的所述第二部分的顶表面。

7.如权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，所述吸光层具有第一高度且所述吸光层的所述第二部分具有第二高度，所述第二高度与所述第一高度的比值为0.2至0.5。

8.如权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，还包含粘着层，夹设于所述电路基板的所述顶表面与所述反射层之间以及所述吸光层的所述第一部分与所述反射层之间。

9.一种发光二极管结构的制造方法，其特征在于，包含：

提供电路基板，所述电路基板具有顶表面，所述顶表面包含发光区以及环绕所述发光区的外围区，其中所述电路基板的所述顶表面包含两个导电垫位于所述发光区；

形成吸光层覆盖所述电路基板；

图案化所述吸光层，以暴露出位于所述发光区的所述顶表面；

形成反射层覆盖所述电路基板以及所述吸光层；

图案化所述反射层，以暴露出所述吸光层的顶表面、所述吸光层的侧壁的一部分以及所述两个导电垫之间的所述顶表面的一部分；以及

在所述发光区中设置发光元件并电性连接所述两个导电垫。

10.如权利要求9所述的制造方法，其特征在于，在图案化所述吸光层的步骤之后，但在形成所述反射层的步骤前，还包含形成粘着层覆盖所述电路基板。

11.如权利要求9所述的制造方法，其特征在于，在图案化所述吸光层的步骤之后，所述吸光层具有第一高度；

其中在图案化所述反射层的步骤之后，所述吸光层的所述侧壁暴露的所述部分具有第二高度；

其中所述第二高度与所述第一高度的比值为0.2至0.5。

12.如权利要求9所述的制造方法，其特征在于，在图案化所述反射层的步骤中还包含暴露出所述两个导电垫的顶表面。

13.如权利要求9所述的制造方法，其特征在于，在图案化所述反射层的步骤中，所述两个导电垫之间的所述顶表面暴露的所述部分使得所述两个导电垫之间具有间隙，且所述间隙至少大于所述两个导电垫之间的距离的1/3倍。

14.如权利要求9所述的制造方法，其特征在于，在设置所述发光元件的步骤之后，还包含在所述发光元件的周围和下方填充荧光粉。