[发明专利]处理被加工物的方法

权利要求书

1.一种用等离子体处理装置来处理被加工物的方法，其特征在于：

所述等离子体处理装置包括：

提供腔室的腔室主体；

载置台，其设置在所述腔室内，且具有用于保持载置在所述载置台上的被加工物的静电吸盘；和

调节所述静电吸盘的温度的温度调节机构，

所述等离子体处理方法包括：

通过在所述腔室内生成包含碳氟化合物气体和/或氢氟烃气体的处理气体的等离子体，来对载置在所述静电吸盘上的被加工物的蚀刻对象膜进行蚀刻的步骤，其中，该步骤包含在利用所述温度调节机构将所述静电吸盘的温度设定为-30℃以下的温度的状态下蚀刻该蚀刻对象膜的主蚀刻；

在进行蚀刻的所述步骤刚执行完后，或者所述主蚀刻刚执行完后，在所述静电吸盘上载置了所述被加工物的状态下，利用所述温度调节机构使所述静电吸盘的温度上升到0℃以上的温度，来减少形成在所述被加工物上的包含碳和氟的沉积物的步骤；和

在通过执行使所述静电吸盘的温度上升的所述步骤而将所述静电吸盘的温度设定成了0℃以上的温度的状态下，将载置在所述静电吸盘上的所述被加工物从所述腔室搬出的步骤。

2.如权利要求1所述的处理被加工物的方法，其特征在于：

进行蚀刻的所述步骤还包括在所述主蚀刻执行完后进一步对所述蚀刻对象膜进行蚀刻的过蚀刻。

3.如权利要求2所述的处理被加工物的方法，其特征在于：

在所述过蚀刻执行时，所述静电吸盘的温度被设定为高于-30℃且低于0℃的温度。

4.如权利要求2所述的处理被加工物的方法，其特征在于：

使所述静电吸盘的温度上升的所述步骤在所述过蚀刻执行时执行。

5.如权利要求1～3中任一项所述的处理被加工物的方法，其特征在于：

还包括在进行蚀刻的所述步骤执行完后，且将所述被加工物从所述腔室搬出的所述步骤执行前，对所述静电吸盘进行除电的步骤，

使所述静电吸盘的温度上升的所述步骤，在对所述静电吸盘进行除电的所述步骤执行时执行。

6.如权利要求1～3中任一项所述的处理被加工物的方法，其特征在于：

所述载置台具有形成有流路的下部电极，

所述静电吸盘设置在所述下部电极上，

所述温度调节机构包括：

供给第一热交换介质的第一温度调节器；和

供给具有比第一热交换介质的温度高的温度的第二热交换介质的第二温度调节器，

在所述主蚀刻执行时，所述第一热交换介质从所述第一温度调节器被供给到所述流路，

在使所述静电吸盘的温度上升的所述步骤执行时，所述第二热交换介质从所述第二温度调节器被供给到所述流路。

7.如权利要求1～3中任一项所述的处理被加工物的方法，其特征在于：

所述载置台具有：形成有流路的冷却台；和设置在所述静电吸盘内的加热器，

所述静电吸盘设置在所述冷却台之上，

在所述静电吸盘与所述冷却台之间设置有被密封的空间，

所述温度调节机构包括：

所述加热器；

构成为向所述流路供给制冷剂的冷却单元；和

构成为有选择地将所述冷却单元、排气装置和传热气体的供给源中的一者与所述空间连接的配管系统，

在所述主蚀刻执行时所述制冷剂从所述冷却单元被供给到所述流路，且所述制冷剂从所述冷却单元被供给到所述空间，

在使所述静电吸盘的温度上升的所述步骤执行时，利用所述加热器加热所述静电吸盘，利用所述排气装置对所述空间减压。