[发明专利]处理被加工物的方法

说明书

本发明提供一种处理被加工物的方法，该方法包括：蚀刻步骤，其包括通过生成包含碳氟化合物气体和/或氢氟烃气体的处理气体的等离子体，来在低温下对载置在载置台上的被加工物的蚀刻对象膜进行蚀刻的主蚀刻；在蚀刻步骤刚执行后或主蚀刻刚执行后，使静电吸盘的温度上升的步骤；和在将静电吸盘的温度设定为高的温度的状态下将被加工物从腔室搬出的步骤。由此，能够在等离子体蚀刻结束后至被加工物从腔室搬出之前，将被加工物上的沉积物除去或使其量减少。

技术领域

本发明的实施方式涉及处理被加工物的方法。

背景技术

在半导体器件等器件的制造中，存在利用等离子体蚀刻来对被加工物的蚀刻对象膜进行蚀刻的情况。在等离子体蚀刻中，将被加工物载置在等离子体处理装置的腔室主体内所设置的载置台的静电吸盘上。然后，将处理气体供给到腔室，并且激励该处理气体，由此生成等离子体。

作为在等离子体蚀刻中要蚀刻的蚀刻对象膜，可以列举硅氧化膜、硅氮化膜或它们的多层膜。在硅氧化膜、硅氮化膜或它们的多层膜这样的蚀刻对象膜的等离子体蚀刻中，作为处理气体，使用碳氟化合物气体、氢氟烃气体、或包含这两者的处理气体。例如，专利文献1中记载了利用含有碳氟化合物气体的处理气体的等离子体对硅氧化膜进行蚀刻的技术。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平10-116822号公报

发明要解决的问题

在硅氧化膜、硅氮化膜或它们的多层膜这样的蚀刻对象膜的等离子体蚀刻中，在被加工物的温度为低温的情况下，蚀刻对象膜的蚀刻速率变高。因此，会在将静电吸盘和被加工物的温度设定为低温的状态下执行等离子体蚀刻。当使用碳氟化合物气体，氢氟烃气体或含有这两者的处理气体执行等离子体蚀刻时，会产生含有碳、或碳和氟的等离子体生成物。等离子体生成物通过在低温的部位冷凝或凝固而形成沉积物。因此，在等离子体蚀刻结束后至被加工物从腔室搬出的期间，在被加工物上形成多余的沉积物。

发明内容

用于解决问题的技术方案

在一个方式中，提供一种用等离子体处理装置来处理被加工物的方法。等离子体处理装置包括：腔室主体、载置台和温度调节机构。腔室主体提供其内部空间作为腔室。载置台设置在腔室内。载置台具有静电吸盘。静电吸盘构成为用于保持载置于其上的被加工物。温度调节机构调节静电吸盘的温度。

一个方式的方法包括：(i)通过在腔室内生成包含碳氟化合物气体和/或氢氟烃气体的处理气体的等离子体，来对载置在静电吸盘上的被加工物的蚀刻对象膜进行蚀刻的步骤(以下称为“蚀刻步骤”)，该步骤包含在利用温度调节机构将静电吸盘的温度设定为-30℃以下的温度的状态下蚀刻该蚀刻对象膜的主蚀刻；(ii)在进行蚀刻的步骤刚执行后，或者主蚀刻刚执行后，在静电吸盘上载置了被加工物的状态下，利用温度调节机构使静电吸盘的温度上升到0℃以上的温度的步骤(以下称为“升温步骤”)；和(iii)在通过执行使静电吸盘的温度上升的步骤而将静电吸盘的温度设定成了0℃以上的温度的状态下，将载置在静电吸盘上的被加工物从腔室搬出的步骤(以下称为“搬出步骤”)。

在蚀刻执行期间，生成含有碳、或碳和氟的等离子体生成物。等离子体生成物在蚀刻执行期间附着于腔室主体的内壁面而形成沉积物。等离子体生成物特别是在-30℃以下的低温的部位立即冷凝或凝固而形成厚的沉积物。因此，如果在蚀刻结束后静电吸盘和被加工物的温度保持在-30℃以下的温度，则从附着于腔室主体的内壁面的沉积物产生的气体在被加工物上冷凝或凝固而形成厚的沉积物。在一个方式的方法中，蚀刻步骤刚执行后或主蚀刻刚执行后，使静电吸盘的温度进而被加工物的温度上升至0℃以上的温度。因此，在蚀刻结束后被加工物从腔室搬出时，能够将被加工物上的沉积物除去或使其量减少。

在一个实施方式中，蚀刻步骤还可以包括在执行主蚀刻之后进一步对蚀刻对象膜执行蚀刻的过蚀刻。