[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201810069691.9 | 申请日： | 2018-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN108257884A | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | 王连红;黄晓橹 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/495 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 薛异荣;吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 芯片焊盘 键合引线 被保护层 打线工艺 芯片表面 保护层 芯片 穿过 覆盖 | ||
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：
形成芯片，所述芯片表面具有芯片焊盘，所述芯片焊盘的表面被保护层覆盖；
采用打线工艺形成键合引线，所述键合引线的一端穿过所述保护层与所述芯片焊盘连接。
2.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料为SiON或SiN。
3.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述保护层的厚度为10埃～100埃。
4.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述芯片的形成方法包括：提供晶圆，所述晶圆表面具有初始焊盘；在所述初始焊盘表面形成初始保护层；切割所述晶圆，形成所述芯片，且使所述初始焊盘形成位于芯片表面的芯片焊盘，使所述初始保护层形成位于芯片焊盘表面的保护层。
5.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述保护层位于所述芯片表面和所述芯片焊盘表面；或者，所述保护层仅位于所述芯片焊盘表面。
6.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括：提供引线框架，所述引线框架包括载台片和包围所述载台片的若干引脚；在进行所述打线工艺之前，将所述芯片固定在所述载台片表面；所述键合引线的另一端与引脚连接。
7.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述芯片焊盘的材料包括铝。
8.一种半导体器件，其特征在于，包括：
芯片；
位于所述芯片表面的芯片焊盘；
位于所述芯片焊盘表面的保护层；
键合引线，所述键合引线的一端穿过所述保护层与所述芯片焊盘连接。
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述保护层的材料为SiON或SiN。
10.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述保护层的厚度为10埃～100埃。
11.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述保护层位于所述芯片表面和所述芯片焊盘表面；或者，所述保护层仅位于所述芯片焊盘表面。
12.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，还包括：引线框架，所述引线框架包括载台片和包围所述载台片的若干引脚；所述芯片固定于所述载台片表面；所述键合引线的另一端与所述引脚连接。
13.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述芯片焊盘的材料包括铝。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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