[发明专利]磁记录介质的制造方法、多层膜成膜系统及成膜调整方法

权利要求书

1.一种磁记录介质的制造方法，使用了溅射装置，所述溅射装置基于用于设定溅射功率的指示值来连续地成膜包含磁记录层的多层膜，所述制造方法包括：

算出对每隔一定时间从所述溅射装置取出并测定的、以基于第1指示值的第1溅射功率制膜的包含磁记录层的多层膜的样品的特性的实测值与所述第1指示值进行比较而得到的残差；

算出所述得到的残差的移动平均值而求出反馈修正项c；

参照所述得到的反馈修正项c，针对关于所述包含磁记录层的多层膜使用了假想计测技术而得到的计算膜厚，求出从APC计算模型使用求解器进行逆运算而得到的值；

将基于所述得到的值的第2指示值发送至所述溅射装置；

接受所述第2指示值而设定第2溅射功率，在基板上连续地成膜所述包含磁记录层的多层膜。

2.根据权利要求1所述的磁记录介质的制造方法，

所述APC计算模型能够由下述式(3)表示：

其中，Y表示控制对象，m表示静磁特性的个数，n表示动态特性的个数，Cal_TH表示计算膜厚，a表示将计算膜厚计算为控制对象所用的系数，p表示控制因子的个数，b表示通常的截矩，c表示为了说明维护跳变所需的维护间修正项。

3.根据权利要求1或者2所述的磁记录介质的制造方法，

所述磁记录层是垂直磁记录层。

4.根据权利要求3所述的磁记录介质的制造方法，

所述磁记录层包含将CoPt系合金、FePt系合金、CoCrPt系合金、FePtCr系合金、CoPtO、FePtO、CoPtCrO、FePtCrO、CoPtSi和FePtSi中的一种材料、或者Pt、Pd、Ag和Cu中的至少一种作为主成分的合金与Co、Fe、或者Ni的多层构造。

5.根据权利要求1或者2所述的磁记录介质的制造方法，

所述包含磁记录层的多层膜的成膜还包括：在所述基板与所述磁记录层之间成膜软磁性衬层。

6.一种多层膜的成膜系统，包括：

APC计算模型，其对关于多层膜使用了假想计测技术而得到的计算膜厚进行多重回归分析；

求解器，其用于对所述APC计算模型进行逆运算，算出用于设定溅射功率的指示值；

APC指示部，其发送所述用于设定溅射功率的指示值；

溅射装置，其具备基于所述指示值控制多个成膜腔室的成膜控制部；

实测部，其每隔一定时间而对在所述溅射装置成膜的多层膜的特性进行测定来得到实测值；

残差算出部，其算出所述实测值与所述指示值的差量；以及

移动平均值算出部，其求出要插入到所述APC计算模型的反馈修正项c。

7.根据权利要求6所述的多层膜的成膜系统，

所述APC计算模型能够由下述式(3)表示：

其中，Y表示控制对象，m表示静磁特性的个数，n表示动态特性的个数，Cal_TH表示计算膜厚，a表示将计算膜厚计算为控制对象所用的系数，p表示控制因子的个数，b表示通常的截矩，c表示为了说明维护跳变所需的维护间修正项。

8.一种成膜调整方法，是使用了溅射装置的成膜系统的成膜调整方法，所述溅射装置基于用于设定溅射功率的指示值连续地成膜多层膜，所述成膜调整方法包括：

算出对每隔一定时间从所述溅射装置取出并测定的、以基于第1指示值的第1溅射功率制膜的多层膜的样品的特性的实测值与所述第1指示值进行比较而得到的残差；

算出所述得到的残差的移动平均值而求出反馈修正项c；

参照所述得到的反馈修正项c，针对关于所述多层膜使用了假想计测技术而得到的计算膜厚，求出从APC计算模型使用求解器进行逆运算而得到的值；

将基于所述得到的值的第2指示值发送至所述溅射装置；

接受所述第2指示值而设定第2溅射功率，连续地成膜所述多层膜。

9.根据权利要求8所述的成膜调整方法，

所述APC计算模型能够由下述式(3)表示：

其中，Y表示控制对象，m表示静磁特性的个数，n表示动态特性的个数，Cal_TH表示计算膜厚，a表示将计算膜厚计算为控制对象所用的系数，p表示控制因子的个数，b表示通常的截矩，c表示为了说明维护跳变所需的维护间修正项。