[发明专利]磁记录介质的制造方法、多层膜成膜系统及成膜调整方法

说明书

本发明的实施方式能得到抑制了产品的偏差的磁记录介质的制造方法、多层膜的成膜系统以及成膜调整方法。实施方式涉及的磁记录介质的制造方法包括：测定包含磁记录层的多层膜的特性，算出用于设定溅射功率的指示值与特性的残差，算出残差的移动平均值而求出反馈修正值，使用从使用了假想计测技术而得到的计算膜厚进行特性预测的计算模型，参照反馈修正值，在使用了电子计算机的求解器进行逆运算，分别算出多层膜的各层的新指示值。

本申请享受将日本专利申请2017－55371号(申请日：2017年3月22日)作为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及磁记录介质的制造方法、多层膜的成膜系统、以及成膜调整方法。

背景技术

在磁记录介质的制造中，通过在连结的腔室内连续地进行溅射来形成多层膜。

为了使磁记录介质的磁特性稳定，希望以一定的膜厚溅射多层膜的各层，但由于连续地成膜，因此制造中不可能测量各层的膜厚。

发明内容

本发明是实施方式提供一种抑制了产品的偏差的磁记录介质的制造方法。

根据实施方式，能提供一种使用了基于用于设定溅射功率的指示值来连续地成膜包含磁记录层的多层膜的溅射装置的磁记录介质的制造方法，包括：算出对每隔一定时间从所述溅射装置取出并测定的、以基于第1指示值的第1溅射功率制膜的包含磁记录层的多层膜的样品的特性的实测值与所述第1指示值进行比较而得到的残差；算出所述得到的残差的移动平均值而求出反馈修正项c；参照所述得到的反馈修正项c，针对关于所述包含磁记录层的多层膜使用了假想计测技术而得到的计算膜厚，求出从APC计算模型使用求解器进行逆运算而得到的值；将基于所述得到的值的第2指示值发送至所述溅射装置；接受所述第2指示值而设定第2溅射功率，连续地成膜所述包含磁记录层的多层膜。

附图说明

图1是表示能够由实施方式涉及的方法制作的磁记录介质的一例的剖视图。

图2是表示多层膜的成膜系统的框图。

图3是表示实施方式涉及的多层膜的成膜工序的流程图。

图4是表示成膜速率与累计电力之间的关系的坐标图。

图5是将能够应用由实施方式涉及的方法制造的磁记录介质的磁记录再现装置的一个例子的一部分分解而得到的立体图。

具体实施方式

在实施方式涉及的磁记录介质的制造方法中，关于在溅射装置连续地成膜的包含磁记录层的多层膜，使用假想计测技术算出各层的计算膜厚，生成并使用根据计算膜厚进行特性预测的APC计算模型。

在该方法中包括：首先，每隔一定时间而从所述溅射装置取出包含磁记录层的多层膜的样品；对以基于第1指示值的第1溅射功率制膜而得到的包含磁记录层的多层膜的特性的实测值进行测定；求出第1指示值与实测值的差量而算出残差；算出残差的移动平均值来求出反馈修正值c；参照反馈修正值c，根据对上述APC计算模型在使用了电子计算机的求解器中进行逆运算而得到的值，分别算出用于设定多层膜的各层的溅射功率的第2指示值；向溅射装置的成膜控制部发送第2指示值；通过所述成膜控制部接受第2指示值而设定溅射功率，在基板上连续地成膜包含磁记录层的多层膜。

根据实施方式，通过进行基于导入了假想计测技术(Virtual Metrology)而得到的膜厚的APC(Advanced Process Control，高等过程控制)，能够降低磁记录介质的特性值的不均匀(偏差)。

在此所说的包含磁记录层的多层膜是磁记录层和一层以上的其他层的层叠。