[发明专利]一种芯片内逻辑模型的测试方法及装置有效
申请号: | 201810072807.4 | 申请日: | 2018-01-25 |
公开(公告)号: | CN110082672B | 公开(公告)日: | 2020-09-11 |
发明(设计)人: | 徐红薇;李硕;董紫淼;李增锴;窦卢新;谢立群 | 申请(专利权)人: | 大唐移动通信设备有限公司 |
主分类号: | G11C29/00 | 分类号: | G11C29/00 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 刘醒晗 |
地址: | 100083*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 芯片 逻辑 模型 测试 方法 装置 | ||
1.一种芯片内逻辑模型的测试方法,其特征在于,包括:
生成测试向量集合,其中,每一个测试向量的长度等于待测试的逻辑模型的数据位宽,在相邻生成的测试向量之间,处于同一比特位的数据的逻辑值取值相反,以及在同一测试向量中,相邻比特位的数据的逻辑值取值相反;
在所述测试向量集合中读取各个测试向量,通过写指针写满所述逻辑模型中的RAM;
通过读指针,从所述RAM中每读取出两个写入的测试向量,通过写指针,再次从所述测试向量集合中读取一个测试向量并写入所述的RAM内,直到所述RAM清空为止;其中,针对同一存储地址,通过写指针再次写入的测试向量,与通过读指针读取的测试向量之间,位于同一比特位的逻辑值取值相反;
针对读取出的测试向量进行正确性判断。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述RAM清空之后,进一步包括:
通过写指针,从所述测试向量集合中每读取两个测试向量写入所述的RAM内,通过读指针,从所述RAM中读取出一个写入的测试向量,直到所述RAM写满为止;其中,针对同一存储地址,通过写指针再次写入的测试向量,与通过读指针读取的测试向量之间,位于同一比特位的逻辑值取值相反;
针对读取出的测试向量进行正确性判断。
3.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于,针对读取出的测试向量进行正确性判断,包括:
判断读取出的测试向量是否满足以下条件:
读取出的同一测试向量内,相邻比特位的逻辑值相反;
读取出的相邻的测试向量之间,同一比特位的逻辑值满足:按位与为0,按位或为1;确定不满足时,判定所述RAM内发生内容类故障。
4.如权利要求2所述的方法,其特征在于,进一步包括:
判断读取出的相邻的测试向量是否一致,确定一致时,判定所述RAM发生地址类故障。
5.如权利要求2所述的方法,其特征在于,进一步包括:
采用预设的响应分析ORA逻辑电路对读取出的测试向量进行正确性判断。
6.一种芯片内逻辑模型的测试装置,其特征在于,包括:
生成单元,用于生成测试向量集合,其中,每一个测试向量的长度等于待测试的逻辑模型的数据位宽,在相邻生成的测试向量之间,处于同一比特位的数据的逻辑值取值相反,以及在同一测试向量中,相邻比特位的数据的逻辑值取值相反;
测试单元,用于在所述测试向量集合中读取各个测试向量,通过写指针写满所述逻辑模型中的RAM;
通过读指针,从所述RAM中每读取出两个写入的测试向量,通过写指针,再次从所述测试向量集合中读取一个测试向量并写入所述的RAM内,直到所述RAM清空为止;其中,针对同一存储地址,通过写指针再次写入的测试向量,与通过读指针读取的测试向量之间,位于同一比特位的逻辑值取值相反;
针对读取出的测试向量进行正确性判断。
7.如权利要求6所述的装置,其特征在于,所述RAM清空之后,所述测试单元进一步用于:
通过写指针,从所述测试向量集合中每读取两个测试向量写入所述的RAM内,通过读指针,从所述RAM中读取出一个写入的测试向量,直到所述RAM写满为止;其中,针对同一存储地址,通过写指针再次写入的测试向量,与通过读指针读取的测试向量之间,位于同一比特位的逻辑值取值相反;
针对读取出的测试向量进行正确性判断。
8.如权利要求6或7所述的装置,其特征在于,针对读取出的测试向量进行正确性判断时,所述测试单元用于:
判断读取出的测试向量是否满足以下条件:
读取出的同一测试向量内,相邻比特位的逻辑值相反;
读取出的相邻的测试向量之间,同一比特位的逻辑值满足:按位与为0,按位或为1;
确定不满足时,判定所述RAM内发生内容类故障。
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