[发明专利]一种芯片内逻辑模型的测试方法及装置有效

专利信息
申请号: 201810072807.4 申请日: 2018-01-25
公开(公告)号: CN110082672B 公开(公告)日: 2020-09-11
发明(设计)人: 徐红薇;李硕;董紫淼;李增锴;窦卢新;谢立群 申请(专利权)人: 大唐移动通信设备有限公司
主分类号: G11C29/00 分类号: G11C29/00
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 刘醒晗
地址: 100083*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 芯片 逻辑 模型 测试 方法 装置
【说明书】:

发明涉及芯片技术,特别涉及一种芯片内逻辑模型的测试方法及装置。用以在不占用大量逻辑资源的前提下,提高逻辑模型的测试效率和故障覆盖率。该方法为:按照预设的棋盘格式生成测试向量集合,并通过在待测试的逻辑模型中的RAM内写入和读取所述测试向量集合中的测试向量,来完成对RAM的故障测试;其中,在RAM内,每一个存储位均采用了取值相反的两种逻辑值进行了读和写的覆盖,这样,无需对FPGA芯片进行重配置即可以实现RAM检测,并且采用的检测电路结构简单易实现,且占用较少的逻辑资源,从而可以在不占用大量逻辑资源的前提下,准确、全面地检测逻辑模型中的RAM的各类故障,进而提高测试效率和故障覆盖率。

技术领域

本发明涉及芯片技术,特别涉及一种芯片内逻辑模型的测试方法及装置。

背景技术

已有技术中,数字通信基带芯片内的数据链路存在大量的先入先出(Fisrt InFirst Out,FIFO)模型,用于进行流控反压及跨时钟域处理,FIFO模型的故障会直接影响通信信号传输,因此,需要采用有效手段对各类芯片内的FIFO模型进行测试。

目前,现场可编程门阵列(Field-Programmable Gate Array,FPGA)芯片是一种常用的数字通信基带芯片,FPGA芯片制造基于静态随机存取存储器(Static RandomAccess Memory,SRAM)结构,具有在线灵活可配置性,其基本单元由查找表(Look-UpTable,LUT),寄存器(Register),随机存取存储器(Random-Access Memory,随机存取存储器)RAM等构成,相对于专用芯片(ASIC),其更易受单粒子翻转(Single Electron Upset,SEU)产生软失效。因此设备厂商在使用FPGA芯片时,都会对FPGA芯片进行测试。

在FPGA芯片内部,数据链路大量使用FIFO模型进行流量控制和跨时钟域处理,例如,参阅图1所示,图1中展示的是一种FIFO模型,包括块存储器(Block RAM),写地址指针控制器,简称写指针(Write Pointer),读地址指针控制器,简称读指针(Read Pointer),写状态指示逻辑(Write Status Flag Logic)和读状态指示逻辑(Read Status Flag Logic)等五部分。

FIFO模型通常情况下会发现以下几类故障:1、RAM的固定型故障(如,SA0故障、SA1故障);2、RAM中图形敏感故障;3、RAM中相邻bit耦合故障;4、RAM的读写地址耦合故障(CF);5、RAM的寻址故障(AF)。

可见,FIFO模型使用的主要逻辑资源是RAM及周边控制电路,因此,FIFO模型发生的故障都是围绕RAM产生的。

已有技术下,最常采用的测试方法,根据是否基于应用场景,分为应用无关测试方法和应用相关测试方法。

1、应用无关测试方法。

通常是指针对逻辑资源进行全检。采用应用无关测试方法时,会预先生成一组或几组配置参数,针对FPGA芯片内部的LUT、Register和RAM等逻辑资源,分别采用测试算法进行充分测试。

以配置成RAM形式的逻辑资源为例,可以采用March算法进行测试,如,一种March算法的执行方式如下:

↑↓(w0);↑(r0,w0);↑(r1,w0)

↓(r0,w1);↓(r1,w0);↑↓(r0)

其中,箭头表征对RAM地址增减的方向,w表征写操作,r表征读操作,w/r后面的数值表征写操作/读操作的逻辑值。

上述March算法是通用的主流面向RAM的测试方法,覆盖故障类型多,故障覆盖率高。

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